2015-04-01
473
Гибридные ИС имеют ряд преимуществ: они допускают применение широкого диапазона номиналов пассивных элементов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики этих элементов (более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число паразитных элементов и их влияние). В гибридных ИС могут применяться почти любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые интегральные схемы.
Лучшие параметры пленочных пассивных элементов и навесных компонентов в сочетании с надежностью изоляции обеспечивают гибридным пленочным ИС явное преимущество перед полупроводниковыми в тех случаях, когда указанные свойства существенны. В пленочных гибридных ИС можно обеспечить большее значение рассеиваемой мощности.
Стоимость оборудования, необходимого для производства тонкопленочных гибридных ИС определенного типа, значительно меньше, чем для производства полупроводниковых ИС того же типа. Поэтому минимальное количество выпускаемых ИС, при котором производство становится рентабельным, также меньше при гибридно-пленочной технологии. Особенно эта технология перспективна для аналоговых ИС.
|
|
|
Однако большое число контактных узлов сварных (паяных) соединений несколько снижает надежность гибридных ИС по сравнению с полупроводниковыми, но использование при их производстве пленочных и навесных предварительно отобранных пассивных активных компонентов определяет широкое применение гибридных ИС.
Подложки служат диэлектрическим механическим основанием для пленочных и навесных элементов и для теплоотвода. Для маломощных гибридных ИС в качестве материала подложки можно применять бесщелочные боросиликатные стекла, а также ситаллы (стеклокристаллические материалы). Для мощных ИС применяют керамику (поликор), а для особо мощных – бериллиевую керамику, имеющую очень высокую теплопроводность. Если требуется обеспечить хороший теплоотвод, высокую механическую прочность и жесткость конструкции, то применяют металлические подложки из алюминия, покрытого слоем диэлектрика, или эмалированной стали. Габаритные размеры подложек стандартизированы (60´48 мм). Обычно на подложке групповым методом изготовляют несколько гибридных ИС. Толщина подложки составляет
0, 35…0, 5 мм.
Гибридные ИС имеют ряд преимуществ: они допускают применение широкого диапазона номиналов пассивных элементов, меньшие пределы допусков и лучшие электрические характеристики этих элементов (более высокая добротность, температурная и временная стабильность, меньшее число паразитных элементов и их влияние). В гибридных ИС могут применяться почти любые дискретные компоненты, в том числе полупроводниковые интегральные схемы.
|
|
|
Лучшие параметры пленочных пассивных элементов и навесных компонентов в сочетании с надежностью изоляции обеспечивают гибридным пленочным ИС явное преимущество перед полупроводниковыми в тех случаях, когда указанные свойства существенны. В пленочных гибридных ИС можно обеспечить большее значение рассеиваемой мощности.
Стоимость оборудования, необходимого для производства тонкопленочных гибридных ИС определенного типа, значительно меньше, чем для производства полупроводниковых ИС того же типа. Поэтому минимальное количество выпускаемых ИС, при котором производство становится рентабельным, также меньше при гибридно-пленочной технологии. Особенно эта технология перспективна для аналоговых ИС.
Однако большое число контактных узлов сварных (паяных) соединений несколько снижает надежность гибридных ИС по сравнению с полупроводниковыми, но использование при их производстве пленочных и навесных предварительно отобранных пассивных активных компонентов определяет широкое применение гибридных ИС.
Подложки служат диэлектрическим механическим основанием для пленочных и навесных элементов и для теплоотвода. Для маломощных гибридных ИС в качестве материала подложки можно применять бесщелочные боросиликатные стекла, а также ситаллы (стеклокристаллические материалы). Для мощных ИС применяют керамику (поликор), а для особо мощных – бериллиевую керамику, имеющую очень высокую теплопроводность. Если требуется обеспечить хороший теплоотвод, высокую механическую прочность и жесткость конструкции, то применяют металлические подложки из алюминия, покрытого слоем диэлектрика, или эмалированной стали. Габаритные размеры подложек стандартизированы (60´48 мм). Обычно на подложке групповым методом изготовляют несколько гибридных ИС. Толщина подложки составляет
0,35…0,5 мм.
Пленочный резистор:
