Анализ результатов измерений

1. Построить зависимость входного сопротивления транзистора r_вх = ∆U_эб / ∆I_э от напряжения и тока (в активном режиме).

2. Построить зависимость выходного сопротивления транзистора r_вых = ∆ /∆I_к от напряжения (при различных значениях тока эмиттера).

3. Постройте зависимость коэффициента передачи тока от тока эмиттера при фиксированном значении (| | > 3 В), а так же зависимость коэффициента инверсной передачи тока от тока коллектора при фиксированном значении (| | > 3 В).

Контрольные вопросы

1. От каких конструктивно-технологических параметров зависит коэффициент передачи транзистора по току?

2. Каковы возможные причины появления различий в расчетных и экспериментальных характеристиках транзистора?

3. Как определить на характеристиках, снятых в схемах с общей базой, границы активной области, области насыщения и области отсечки?