Студопедия


Авиадвигателестроения Административное право Административное право Беларусии Алгебра Архитектура Безопасность жизнедеятельности Введение в профессию «психолог» Введение в экономику культуры Высшая математика Геология Геоморфология Гидрология и гидрометрии Гидросистемы и гидромашины История Украины Культурология Культурология Логика Маркетинг Машиностроение Медицинская психология Менеджмент Металлы и сварка Методы и средства измерений электрических величин Мировая экономика Начертательная геометрия Основы экономической теории Охрана труда Пожарная тактика Процессы и структуры мышления Профессиональная психология Психология Психология менеджмента Современные фундаментальные и прикладные исследования в приборостроении Социальная психология Социально-философская проблематика Социология Статистика Теоретические основы информатики Теория автоматического регулирования Теория вероятности Транспортное право Туроператор Уголовное право Уголовный процесс Управление современным производством Физика Физические явления Философия Холодильные установки Экология Экономика История экономики Основы экономики Экономика предприятия Экономическая история Экономическая теория Экономический анализ Развитие экономики ЕС Чрезвычайные ситуации ВКонтакте Одноклассники Мой Мир Фейсбук LiveJournal Instagram

Анализ результатов измерений. 1. Для области активной работы транзистора постройте зависимости входного сопротивления транзистора в схеме с общим эмиттером rвх = ∆ UБЭ / ∆ от




1. Для области активной работы транзистора постройте зависимости входного сопротивления транзистора в схеме с общим эмиттером rвх = ∆ UБЭ / ∆ от тока базы и напряжения базы UБЭ. Сравните полученную зависимость с аналогичной для транзистора, включенного по схеме с общей базой.

2. Постройте зависимость выходного сопротивления транзистора в схеме с общим эмиттером rвых=∆ /∆ от напряжения (при различных значениях отпирающего тока базы).

3. Постройте зависимость коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером β от тока базы и тока эмиттера.

3. Сравните экспериментально полученные вольт-амперные характеристики транзистора, включенного с общим эмиттером, с рассчитанными, объясните различия.

Контрольные вопросы

1. Как определить на характеристиках, снятых в схемах с общим эмиттером, границы активной области, области насыщения и области отсечки?

2. В чем основные различия статистических характеристик транзистора, включенного в схеме с общей базой от транзистора, включенного в схеме с общим эмиттером?

3. Почему усилительные каскады с транзистором в схеме c общим эмиттером используются значительно чаще, чем каскады с транзистором в схеме с общей базой?






Дата добавления: 2015-04-01; просмотров: 464; Опубликованный материал нарушает авторские права? | Защита персональных данных | ЗАКАЗАТЬ РАБОТУ


Не нашли то, что искали? Воспользуйтесь поиском:

Лучшие изречения: Для студентов недели бывают четные, нечетные и зачетные. 9256 - | 7374 - или читать все...

Читайте также:

 

3.227.254.12 © studopedia.ru Не является автором материалов, которые размещены. Но предоставляет возможность бесплатного использования. Есть нарушение авторского права? Напишите нам | Обратная связь.


Генерация страницы за: 0.002 сек.