2015-05-05
275
В предоставленной курсовой работе был сконструирован импульсный усилитель с факторами, показанными в промышленном задании. Выходной каскад снабжает необходимую выходную силу, а еще совместно с входным снабжает нужным усилением.
. Сопротивление источника сигнала и нагрузки Rг=100 Ом.
. Сквозной множитель усиления ku=66 дБ.
. Продолжительность усиливаемых импульсов Ти=4 мкс.
. Скважность взаимоусиливаемых импульсов Q=100.
. Момент установления фронта импульсов tу=6,9нс.
. Регресс вершины импульсов на выходеΔ=20%
. Полярность взаимоусиливаемых импульсов отрицательная.
. Полярность импульсов на выходе отрицательная.
. Наибольшая амплитуда импульсов на выходе Uвых=5 мВ.
Усилитель содержит маленький резерв по усилению. Это нужно для того, чтобы в случае смещения в худшую сторону усилительных параметров, фактор передачи усилителя не спускался ниже данного значения, назначенного техническим заданием.
Рассчитанный усилитель удовлетворяет всем потребностям, показанным в задании, что говорит о точности проведенной работы.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
1. Аверин А.А. Расчёт элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах: учебно-методическое пособие. - Томск: ТУСУР, 2011. - 66 стр.
2. Варшавер А.С., Проектирование аналоговых устройств: методические указания. - Томск: ТУСУР, 2012 - 196 стр.
3. Полупроводниковые приборы: транзисторы. Справочник Под ред. Газизов Н.Н. -М.: Энергоатомиздат, 2009 - 822стр.
4. Касарёв Б.А Расчёт и проектирование импульсных устройств. - М: Высшая школа, 2010.
5. Ломоносов Ю.А. Импульсная техника. - М: Высшая школа. - 2009.
6. Лиммерг Л.М. Расчёт и проектирование импульсных устройств. - М: Связь, 2008.
7. Лунёв Л.Ф. Каталог полупроводниковых приборов. - М: Центральное конструкторское бюро, 2008.
8. Маркевич В.В. Расчет усилительных схем на дискретных элементах: Методические указания. -Пенза, 2011. -207 с.
9. Нестеров Н.И. Справочник радиолюбителя - конструктора. -Москва, 2012. -784 с.
10. Пономарев Н.Н., Карасев А.Ю., Кормашов Н.Н. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. -СпБ, 2006. -111 с.
Приложение 1
Принципиальная схема
Приложение 2
Таблица
| Наименование | Кол-во | Примечание | ||
| VT1 | 4T608A-6 | |||
| VT2 | 4Т609А | |||
| Конденсаторы | ||||
| C1 | CC0603JRNPO9BN270 - 5пФ - 4% | |||
| C2 | GRM1885C1H150JA01D - 5 пФ - 4% | |||
| C3 | GRM188F51H473ZA01D - 32 нФ - 4% | |||
| C4 | CC0805ZKY5V6BB106 - 22 мкФ- 4% | |||
| C5 | CC0805ZKY5V6BB106 - 23 мкФ - 4% | |||
| Резисторы | ||||
| R1 | RC0603JR-073K9 - 3,9 кОм - 4% | |||
| R2 | RC0603JR-072K2- 2,2 кОм - 4% | |||
| R3 | RC0805JR-0751R - 51 Ом - 4% | |||
| R4 | CRCW0402715RFKED - 715 Ом - 4% | |||
| R5 | CRCW040215K0JN- 15 кОм - 4% | |||
| R6 | RC0805JR-078K2 - 8,2 кОм - 4% | |||
| R7 | RC0805JR-0768R - 68 Ом - 4% | |||
| R8 | RC0603JR-07680R - 680 Ом 4% | |||
