Стадия роста

Стадия роста определяется следующими процессами: диффузией водорода; захватом водорода; перестройкой ПД, обусловленной внутренним давлением. Водород в Si и Ge может находиться в решетке в различных междоузельных положениях (Г или Т) и иметь разные зарядовые состояния (+1, 0 или -1) в зависимости от положения соответствующих энергетических уровней относительно уровня Ферми. Известно, что коэффициент диффузии водорода зависит от его зарядового состояния, причем . Отсюда следует, что скорость роста ПД может зависеть от типа легирующей примеси и уровня легирования, так как зависит от локального значения коэффициента диффузии [32,33].