2015-05-14
358
1. Собрать схему исследования полевого транзистора с n - каналом, изображенную на рисунке 4. Для исследования используется транзистор в соответствии с вариантом или по указанию преподавателя.
Рис. 4
2. Нарисовать таблицу для построения стоко-затворных характеристик (Таблица 1).
3. Произвести измерения и занести результаты в таблицу.
Таблица 1
| Напряжение затвор-исток UЗИ, B, V1 | 0.5 | 1.0 | 1.5 | 2.0 | 2.5 | |
| Ток стока IСИ, мА, A2 при напряжении сток-исток UСИ, 10 В, V2 | ||||||
| Ток стока IСИ, мА, A2 при напряжении сток-исток UСИ, 30 В, V2 |
4. Нарисовать таблицу для построения семейства стоковых характеристик
(Таблица 2).
5. Произвести измерения и занести результаты в таблицу.
Таблица 2
| Напряжение сток-исток UСИ, В, V2 | |||||||||
| Ток стока IСИ, мА при напря- жении затвор-исток UЗИ, V1, B/ | |||||||||
| 0.5 | |||||||||
| 1.0 | |||||||||
| 1.5 |
6. Построить стоко-затворные (ррис. 5) и стоковые (рис. 6) характеристики в координатных осях.
7. Определить необходимые параметры и рассчитать крутизну стоко-затворной характеристики и активную выходную проводимость.
8. Сделать вывод. Вывод должен содержать описание теоретических положений, подтвержденных экспериментально в процессе выполнения работы.
|
|
|
Рис. 5
Рис. 6
