Полупроводниковые лазеры на гетеропереходах

Физика полупроводниковых гетеролазеров, известных так же как инжекционные лазеры или диодные лазеры, основано на взаимодействии Электромагнитного излучения с полупроводником. Так же как и в атомарных веществах, в полупроводниках взаимодействие электронов с фотонами осуществляется одним из следующих трех процессов: поглощением, спонтанным излучением и вынужденным излучением фотонов. В полупроводниковых гетеролазерах во взаимодействии участвует полупроводниковый материал находящийся вблизи p-n перехода, на который приложено внешнее напряжение прямого смещения.

В данной работе приведены основные физические принципы, описывающие энергетические состояния электронов в полупроводнике вблизи p-n перехода находящегося под прямым смещением и их взаимодействия с излучением. Описаны условия возникновения излучательной рекомбинации, усиления, вынужденного излучения и лазерной генерации электромагнитного излучения в инжекционных лазерах.