Полупроводниковый гетеропереход

Полупроводниковый лазер на гетеропереходе или полупроводниковый гетеролазер (ПГЛ) обязательно содержит, по крайней мере, один гетеропереход.

Гетеропереход - это область соприкосновения двух полупроводников с различными значениями ширины запрещенной зоны объединенных в одном кристалле.

Для полупроводниковых излучателей на гетеропереходах существенное значение имеет качество и состояние области соприкосновения (контакта) двух полупроводников образующих гетеропереход. Из требования сведения до минимума механических напряжений в гетеропереходе, возникающих из-за несоответствия периодов решеток полупроводников с разными , следует необходимость подбора для гетеропереходов двух полупроводников с близкими друг к другу постоянными решеток. (Это требование иногда нарушается, так - существуют кванторазмерные гетероструктуры с напряженными слоями, однако это возможно только в том случае, когда толщина активной области составляет всего от одного до дести периодов решетки).

С момента предложения Ж.И. Алферовым и Р.Ф. Казариновым идеи создания гетероперехода и до настоящего времени подобраны и широко ис­пользуются при изготовлений ПГЛ различные пары полупроводников с разны­ми , и с согласованными параметрами решеток. Наиболее широко известны гетеропереходы: GaAs/GaAlAs, InP/GaInAs, GaAs/GaInP, GaAs/AlInP, GaSb/AlAsSb, GaSb/InAsSb, InP/AlInAs, GaN/InGaN и др.