2015-05-10
861
СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Полупроводниковые лазеры на гетеропереходах
3. Полупроводниковый гетеропереход
4. Анизотипный гетеропереход
5. Энергетическая зонная диаграмма анизотипного гетероперехода
6. Квазиуровни Ферми в анизотипных гетеропереходах
7. Излучательная рекомбинация в p-N-гетеропереходе
8. Условие вынужденного излучения в p-N-гетеропереходе, условие БКП
9. Условие для усиления света в активной области
10. Двусторонний гетеропереход
11. Условие возникновения генерации в гетеролазерах.
Цель работы: Исследовать характеристики полупроводниковых лазеров.
Объект исследования: Полупроводниковые лазеры на гетеропереходах.
Задачи, решаемые в работе:
1. Экспериментальное измерение зависимости коэффициента поляризации лазерного диода от тока накачки Iн .
2. Изучить зависимость степени когерентности излучения ЛД от тока накачки по анализу распределения интенсивности в поперечном сечении волоконных световодов, возбуждаемых ЛД.
3. Экспериментально измерить ватт-амперные характеристики лазерного диода.
4. Экспериментально определить ток накачки, соответствующего началу генерации оптического излучения и порогового тока лазерного диода.
