2015-05-20
498
Рассмотрим случай сравнительно низкочастотных транзисторов, в которых временные процессы определяются временем накопления неосновных носителей заряда в базе.
Рисунок 5. Временные диаграммы.
При поступлении открывающего тока в базу, переход база – эмиттер смещается в прямом направлении, в базе накапливается неосновные носители заряда. Транзистор переходит в активный режим, ток и напряжение на коллекторе начинает увеличиваться. Неосновные носители заряда из базы перемещаются в коллектор. Когда число зарядов в базе станет равным 
полностью открывается второй p-n переход транзистора. Транзистор оказывается на грани активного режима и режима насыщения. При дальнейшем накоплении избыточных носителей заряда транзистор переходит в режим насыщения.
При поступлении и в базу закрывающего тока начинается рассасывание неосновных носителей заряда из базы. Однако до тех пор, пока число носителей зарядов больше, чем 
, транзистор продолжает оставаться в режиме насыщения.
|
|
|
При уменьшении заряда до транзистор переходит в активный режим и начинает закрываться. Транзистор полностью закроется, когда число неосновных носителей заряда станет равным нулю. Для повышения качества функционирования транзисторного ключа, то есть для уменьшения инерционности необходимо уменьшать: 
- время рассасывания избыточных носителей зарядов до 
