2015-05-12
639
= 
);
= ).
Возможно четыре семейства статических характеристик.
На практике рассматривают два семейства.
= 
| 
;
= 
| 
.
Выходные статические характеристики:
= | .
| 
'| < | ''| < | '''|.
1 – участок открытого транзистора (участок насыщения). На этом участке канал ещё полностью открыт.
2 – активный участок – основной рабочий участок работы транзистора. На этом участке наблюдается перекрытие канала проводимости. Это происходит в точке 
. При этом увеличивается сопротивление транзистора. При достаточных напряжениях на стоке в ПТ могут возникнуть условия для возникновения пробоя затвора транзистора. При увеличении отрицательного напряжения на затворе напряжение пробоя будет уменьшаться.
Характеристики передачи:
= | .
Напряжение отсечки – напряжение , при котором ток стока становится равным нулю. При = 0 ток стока – начальный.
Полевой транзистор с p-n-переходом может работать и при небольших положительных напряжениях.
Важной характеристикой ПТ является крутизна 
:
= 
| . (4.1)
|
|
|
Крутизна показывает, на сколько миллиампер изменится ток стока при изменении напряжения на 1 вольт.
При увеличении температуры в полевом транзисторе увеличивается напряжение 
, т. к. увеличивается высота потенциального барьера; уменьшается крутизна транзистора, т. к. уменьшается подвижность носителей, длина свободного пробега.
В точке 1 произойдёт пересечение – первая термостабильная точка. При изменении температуры ток не меняется.
4.2 Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП-транзисторы)
МДП-транзистор – транзистор, затвор которого выполнен в виде проводящей пластины и отделён от полупроводника слоем диэлектрика.
В качестве диэлектрика используют оксид кремния.
Возможны две структуры полевого транзистора с изолированным затвором:
1. Полевые транзисторы с индуцированным каналом, в которых канал возникает только при определённых напряжениях на затворе.
2. Полевые транзисторы со встроенным каналом.
В транзисторах канал существует при нулевых напряжениях на затворе.
В некоторых транзисторах подложка соединяется с истоком.
Полевой транзистор со встроенным каналом:
