Принцип действия транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом

На подложке тот же потенциал, что и на истоке.

Электроны будут уходить от затвора вглубь полупроводника, в результате чего под затвором возникает зона, обеднённая носителями заряда. Происходит оголение атомов примеси. Возникает инверсный слой за счёт того, что из кармана туда будут поступать дырки. В итоге между истоком и стоком возникает канал проводимости. Толщину поперечного сечения канала можно изменять, изменяя напряжение на затворе.

Полевой транзистор с индуцированным каналом работает в режиме обеднения носителей заряда.