Статические характеристики транзистора с изолированным затвором

Выходные статические характеристики:

= | .

| '| > | ''| > | '''| > 0.

Эти характеристики во 2-й части больше, нежели у транзистора с p-n-переходом.

1 – режим насыщения;

2 – участок активного режима.

Возможны два типа пробоя:

1. Пробой между карманом и подложкой.

2. Пробой между затвором и подложкой.

Пробой между карманом и подложкой – это обычный лавинный пробой. Он является обратимым.

Пробой между затвором и полупроводником необратимый – между ними возникает проводящий канал.

В некоторых полевых транзисторах с изолированным затвором затвор соединяют с подложкой или истоком через защитный стабилитрон. В случае попадания на затвор опасного потенциала происходит пробой стабилитрона, и потенциал будет невелик.

Недостаток: увеличивается ток затвора.

Характеристики передачи:

= | .

При увеличении напряжения характеристика поднимается вверх. Пороговое напряжение не зависит от .

Наблюдается температурная зависимость.

1 – при увеличении температуры уменьшается подвижность носителей, уменьшается крутизна транзистора.

2 – с увеличением температуры уровень Ферми смещается в сторону середины запрещённой зоны. По этой причине инверсный слой в полупроводнике возникает при меньших пороговых напряжениях.

1 – первая термостабильная точка полевого транзистора, которая наблюдается при малых токах стока. Ток стока не зависит от температуры.

Полевые транзисторы больше защищены от перегрева, чем биполярные транзисторы.