2015-05-13
418
| Параметр | «МЦСТ-R150» | «МЦСТ-R500» |
| Технология | Полузаказная, 0,35 мкм | Полузаказная, 0,13 мкм |
| Тактовая частота | ||
| Размер слов | 32/64 | 32/64 |
| Объем кэш-памяти | ||
| L1 IC, Кбайт | 8 (2 way) | 16 (4 way) |
| L1 DC, Кбайт | 16(4 way) | 32 (8 way) |
| L2 C, Мбайт | ||
| Пропускная способность L2С, Гбайт/с | 1.2 | 1.6 |
| Пропускная способность шины MBus, Гбайт/с | 0.4 | 0.8 |
| Число транзисторов, млн | 2.8 | 4.9 |
| Площадь кристалла, мм2 | ||
| Количество слоев металла | ||
| Корпус/количество выводов | BGA/480 | BGA/376 |
| Напряжение питания, В | 3,3/3,3 | 1/2,5 |
| Рассеиваемая мощность. Вт | <4 | <1 |
17. Структурная схема микропроцессора МЦСТ-R
