Ячейкой

а – объемноцентрированная кубическая; б – гранецентрированная

кубическая; в – гексагональная плотноупакованная решетка

Под кристаллографической плоскостью понимается плоскость,

проходящая через узлы кристаллической решетки.

Кристаллографические направления определяются прямой, про-

ходящей через начало координат и узел кристаллической решетки.

В идеальных кристаллах дальний порядок охватывает все ато-

мы. Однако в реальных кристаллах всегда существует огромное коли-

чество структурных нарушений, обычно называемых несовершенст-

вами, или дефектами.

В зависимости от геометрии дефекты подразделяются: на то-

чечные, линейные, поверхностные и объемные.

Размеры точечных

дефектов соизмеримы с межатомным расстоянием Длина

линейных дефектов во много раз превышает размеры поперечного се-

чения. У поверхностных дефектов длина и ширина их значительно

превосходят толщину. Объемные дефекты имеют значительные раз-

меры во всех трех измерениях (поры, трещины).

2) Под диффузией понимают перемещение атомов в кристалличе-

ском теле на расстояние, превышающее средние межатомные рас-

стояния данного вещества. Если перемещения атомов происходит из

узла кристаллической решетки в соседний или междоузлие и не свя-

заны с изменением концентрации в отдельных объемах, то такой про-

цесс называется самодиффузией.

Перемещение разнородных атомов, сопровождающееся измене-

нием концентрации компонентов в отдельных зонах сплава, называ-

ется гетеродиффузией, или просто диффузией.

Предложено несколько механизмов для объяснения процесса диф-

фузии: циклический, обменный, вакансионный, междоузельный и др.