IGBT (insulated gate bipolar transistor) транзистор
Преимуществом биполярного транзистора является сравнительно малое падение напряжения на открытом транзисторе при больших токах. Преимуществом полевого транзистора с изолированным затвором является большое сопротивление цепи управления. Совмещение преимуществ полевого и биполярного транзистора достигнуто в IGBT транзисторе, структура, схема замещения и УГО которого приведены на рис. 1.33.
Полевой транзистор с изолированным затвором и индуцированным каналом VT1 управляет биполярным транзистором VT2. Транзисторы VT2 и VT3 связаны положительной обратной связью (аналогично тиристору), однако за счет сопротивлений R1, R2 транзисторы остаются управляемыми (результирующий коэффициент по контуру обратной связи меньше единицы).
а) б) в)
Рис. 1.33 а) – структура IGBT транзистора, б) – транзисторная схема замещения, в) – условно-графическое обозначение
В качестве коэффициента усиления транзистора выступает крутизна
, А/В
Из-за положительной обратной связи крутизна составляет сотни ампер на вольт. Входная характеристика соответствует характеристике транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом.
|
|
Выходные вольтамперные характеристики IGВТ-транзистора аналогичны характеристикам биполярного транзистора.
Транзистор используется в мощных преобразователях напряжения и работает в ключевом (включен – выключен) режиме.