Структура металл – диэлектрик - п/п (МДП или МОП)

Структуры металл — диэлектрик — полупроводник (МДП) составляют основу полевых МДП-транзисторов, конденсаторов, уп­равляемых напряжением, а также широко используются в интегральных схемах.

Простейшая МДП-структура (рис. 10.2 ) содержит полупроводниковый кристалл — подложку 1, слой диэлек­трика 2, металлический электрод — затвор 3, омический контакт к подложке 4.

Структура имеет два вывода (за­твор и контакт к подложке) и является МДП-конденсатором, емкость которого зависит от напряжения между затвором и выводом подложки.

\