Излучательная рекомбинация

После выключения возбуждающего света концентрация электронов и дырок уменьшается. Скорость убывания числа электронов и дырок определяется разностью скоростей излучательной рекомбинации и тепловой генерации носителей заряда:

, (83)

где γ_r – коэффициент излучательной рекомбинации, n ₀, p ₀ – равновесные концентрации электронов и дырок в рассматриваемом полупроводнике.

Если обозначить

как характерное время жизни избыточных носителей заряда в процессе излучательной рекомбинации, то

и . (84)

Т.о., излучательное время жизни характеризует экспоненциальный спад избыточных носителей заряда в процессе излучательной рекомбинации.