Квантовая эффективность p-n - или n-p -фотодиода с однородными n-p слоями складывается из квантовой эффективности трех слоев:
, (93)
где ηp (λ), ηdl (λ) и ηn (λ) – квантовые эффективности эмиттерной области, области пространственного заряда и базовой области фотодиода.
Вклад от каждой области фотодиода дается следующими уравнениями:
(94)
(95)
, (96)
где α – коэффициент поглощения света в полупроводнике, x 1 – фронтальная граница области пространственного заряда, x 2 – граница области пространственного заряда в базовой области, w – ширина базовой области, Lp, Ln – диффузионные длины неосновных носителей заряда в эмиттере и базе фотодиода, Dn, Dp – коэффициент диффузии неосновных носителей заряда в n и p областях фотодиода.