Экзаменационный билет № 12

1. Технология тонкопленочных гибридных интегральных микросхем. Способ получения тонких пленок по схеме катодного распыления.

Под действием электрического разряда между А и К происходит ионизация молекул газа аргона (в камере находятся газ аргон при давлении 10^-1-10^{-3 мм рт. ст.)}

Аргон специально запускается в камеру, положительно заряженные аргонные молекулы притекают к К и выбивают поверхностные молекулы металла, которые притягиваются к А, встречая на своем пути подложку.

Скорость напыления вещества К, т.е количество вещества в граммах распыляемого с 1 см² в секунду можно определить по формуле.

Где К – постоянная, которая зависит от рода газа и материала К, а так же от геометрии устройства.

U –напряжение между А и К, U_кр – минимальной напряжение (500 В), P – давление рабочего газа, D- расстояние.

2. Способы обеспечения теплового режима электронной аппаратуры автоматики.

Билет №10(1)

3. Методика расчета магнитостатического экранирования.

Эффективность экранирования таких полей зависит от М (магнитная проницаемость) экрана и его толщины:

D – диаметр эквивалентного сферического экрана близкий к длине стенки кубического экрана.

d - толщина стенок экрана.