2015-05-26
706
Рассмотрим транзистор, включенный по схеме с ОБ (рис 3.9). Во внешних цепях транзистора будут протекать токи iЭ, iК, iБ. За положительные направления токов примем указанные стрелками (они совпадают с физическими направлениями токов в активном режиме). Внешние напряжения uЭБ и uКБ, как и ранее, будем отсчитывать от общего электрода (в данном случае - базы). Кроме того, введем напряжения на переходах транзистора uЭП - на эмиттерном переходе, uКП - на коллекторном. Эти напряжения будем считать положительными, если они прямые (“+” приложен к p- области, а “-” к n-области) и отрицательными, если они обратные.
Для рассматриваемого n-p-n-транзистора в схеме с ОБ
uЭП= - uЭБ = uБЭ и uКП = - uКБ.
Для p-n-p-транзисторов: uЭП= uЭБ, uКП = uКБ Использование понятий напряжений на переходах позволяет получить одинаковые формулы для n-p-n- и p-n-p-транзисторов.
Как было показано в предыдущей главе, каждый ток содержит различные составляющие; для удобства сгруппируем их следующим образом:
- Выделим единственную полезную составляющую, обусловленную переносом электронов из эмиттера в коллектор. Назовем ее током связи iЭ-К к (направление тока на рис. 3.9 обратно направлению движения электронов).
- Дырочные токи переходов и токи, обусловленные рекомбинацией в базе, объединим в дополнительные токи эмиттерного i э д и коллекторного i кд переходов. Эти токи замыкаются каждый через свой переход и не могут передаваться из эмиттера в коллектор. Таким образом, наличие дополнительных токов приводит только к потерям энергии.
Полные токи транзистора могут быть представлены в виде:
|
|
|
(3.1)
Вредные дополнительные токи переходов мало изменяют токи iЭ и iК (на 1 - 3 %), однако именно они определяют ток базы.
