Схемы включения транзистора с ОЭ представлены на рис.2 (L 7_1. ewb) и рис.3 (L 7_2. ewb).
Построить статические вольтамперные характеристики (ВАХ) транзистора в схеме с ОЭ.
Задание 2. Определить семейство входных характеристик ВАХ при фиксированных значениях напряжения U КЭ, путем изменения тока I Б, и напряжения U БЭ, (L 7_1. ewb).
Рис.2. Исследование входных ВАХ биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.
Входные статические характеристики транзистора снимать для трех значений U КЭ, которые выбрать с помощью ключей (10В, 20В, 30В). Поддерживая это напряжение неизменным, изменять напряжение между базой и эмиттером U БЭ (потенциометр R 1 от 0 до 100%), следить за показаниями амперметра и вольтметра:
I Б = ƒ(U БЭ) при U КЭ = const
Используя результаты измерений построить входные статические характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
UК, В | Входная цепь | ||
потенциометр R1 | IБ, мА | UБЭ, В | |
0% | |||
50% | 0.0005 | 0.499 | |
100% | 61.70 | 1.0 | |
0% | |||
50% | 0.0005 | 0.499 | |
100% | 61.70 | 1.0 | |
0% | |||
50% | 0.0005 | 0.499 | |
100% | 61.70 | 1.0 |
Входная характеристика транзистора
В качестве примера, входные характеристики строятся автоматически (L 7_1_ vax.ewb) для разных значений напряжения U КЭ.
Задание 3. Определить семейство выходных ВАХ при фиксированных значениях I Б, путем изменения U КЭ, и I К, (L 7_2. ewb).
Рис.3. Исследование выходных ВАХ биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером.
Выходные характеристики транзистора: I К = ƒ(U КЭ) при I Б = const.
Значения I Б установить с помощью ключей (50 мА, 100 мА, 150 мА). Поддерживая I К постоянным, изменять U КЭ (значение R 1 от 0 до 100%). Построить выходные статические характеристики транзистора в схеме с ОЭ.
IБ, мА | Выходная цепь | ||
потенциометр R1 | IК, мА | UКЭ, В | |
0% | 0.048 | 0.049 | |
50% | 4.922 | 3.69 | |
100% | 4.928 | 10.00 | |
0% | 0.098 | 0.098 | |
50% | 9.918 | 2.520 | |
100% | 9.927 | 10.00 | |
0% | 0.014 | 0.148 | |
50% | 14.92 | 1.271 | |
100% | 14.93 | 10.00 |
Выходная характеристика транзистора
В качестве примера, выходные характеристики строятся автоматически (L 7_2_ vax.ewb) для разных значений тока базы.
Задание 4. По семействам входных и выходных характеристикам определить значение малосигнальных сигналов: h21э; h22э; h11; h12
Сделать вывод по работе.
Контрольные вопросы
1. Как называются слои полупроводниковой структуры транзистора и почему?
2. Что такое коэффициент передачи тока?
3. Чем обусловлено усиление по току в схеме включения транзистора с ОЭ?
4. Назовите основные параметры биполярных транзисторов.