double arrow

Ключевой режим работы биполярных транзисторов


Транзисторная импульсная и цифровая техника базируется на работе транзистора в качестве ключа. Замыкание и размыкание цепи нагрузки - главное назначение транзистора, работающего в ключевом режиме. По аналогии с механическим ключом (реле, контактором), качество транзисторного ключа определяется в первую очередь падением напряжения (остаточным напряжением) на транзисторе в замкнутом (открытом) состоянии, а также остаточным током транзистора в выключенном (закрытом) состоянии.

Важность рассмотрения свойств транзисторного ключа для уяснения последующего материала вытекает из того, что путем изменения состояний транзистора в последовательной цепи с резистором и источником питания осуществляются, по сути дела, формирование сигналов импульсной формы, а также различные преобразования импульсных сигналов в схемах и узлах импульсной техники. Транзистор применяют также в качестве бесконтактного ключа в цепях постоянного и переменного токов для регулирования мощности, подводимой к нагрузке.

Основой всех узлов и схем импульсной и цифровой техники является так называемая ключевая схема - каскад на транзисторе, работающем в ключевом режиме. Построение ключевой схемы подобно усилительному каскаду. Транзистор в ключевой схеме может включаться с общей базой, общим эмиттером и общим коллектором. Наибольшее распространение получила схема ОЭ. Этот вид включения биполярного транзистора и используется далее при рассмотрении ключевого режима его работы.




Рисунок 4.3 - Ключевая схема на транзисторе и графическое определение режимов открытого и закрытого состояний транзистора

Ключевая схема на транзисторе типа р-п-р показана на рисунке 4.3, а. Транзистор Т выполняет функцию ключа в последовательной цепи с резистором RK и источником питания.

Для удобства рассмотрения процессов в схеме в режимах открытого и закрытого состояний транзистора воспользуемся графоаналитическим методом, основанным на построении линии нагрузки а - б по постоянному току (рисунок 4.3, б).

Линия нагрузки описывается соотношением Uкэ = − (Ек IкRк) и проводится так же, как для усилительного каскада. Точки пересечения линии нагрузки с вольт-амперными характеристиками транзистора определяют напряжения на элементах и ток в последовательной цепи.

Режим запирания (режим отсечки) транзистора осуществляется подачей на его вход напряжения положительной полярности (Uвх > 0), указанной на рисунке 4.3, а без скобок. Под действием входного напряжения эмиттерный переход транзистора запирается (Uбэ > 0) и его ток Iэ = 0. Вместе с тем через резистор Rб протекает обратный (тепловой) ток коллекторного перехода Iк0. Режиму закрытого состояния транзистора соответствует точка Мз (см. рисунок 4.3, б).



Протекание через нагрузку теплового тока Iк0 связано с тем, что транзистор в закрытом состоянии не обеспечивает полного отключения нагрузочного резистора Rк от источника питания. Малое значение Iк0 является одним из критериев выбора транзистора для ключевого режима работы.

Величину запирающего входного напряжения Uвх. зan выбирают из расчета того, чтобы при протекающем через резистор Rб тепловом токе было обеспечено выполнение условия:

Uбэ = Uвх. зanIк0 Rб > 0.

Напряжение U для германиевых транзисторов составляет 0,5…2,0 В.

Режим открытого состояния транзистора достигается изменением полярности входного напряжения (Uвх < 0) и заданием соответствующего тока базы. Открытое состояние транзистора характеризует точка Мо на линии нагрузки.

Определим необходимые условия для создания открытого состояния транзистора. С этой целью предположим, что при Uвх < 0 ток базы Iб увеличивается постепенно. Увеличению тока базы будет соответствовать увеличение тока коллектора и перемещение рабочей точки из положения Мз вверх по линии нагрузки. Напряжение Uкэ транзистора при этом постепенно уменьшается. До некоторого граничного значения тока базы Iб.гр сохраняется известная пропорциональная зависимость между Iк и Iб:



Iк = βстIб + (1 + βст) Iк0 βст Iб, (4.1)

где βст - статический (усредненный) коэффициент передачи тока транзистора в схеме ОЭ (а не дифференциальный коэффициент β, действительный для малого входного сигнала). Точка Мо при токе базы Iб.гр характеризует "полное" открытие транзистора. Через транзистор и резистор Rк протекает ток

Iк = (Eк − ΔUкэ.откр) / Rк,

где ΔUкэ.откр - падение напряжения (остаточное напряжение) на транзисторе в открытом состоянии.

Остаточное напряжение ΔUкэ.откр, являющееся существенным параметром транзистора в импульсном режиме работы, должно быть минимальным. В зависимости от типа прибора напряжение ΔUкэ.откр лежит в пределах 0,05…1,0 В. Ввиду относительно малого остаточного напряжения по сравнению с Ек расчет тока Iк открытого транзистора проводится по формуле:

Iк = Eк / Rк.

С учетом формулы (4.1) находят граничное значение тока базы Iб. гр открытого транзистора, при котором наблюдается пропорциональная зависимость тока коллектора от тока базы:

Iб. гр = Iк / βст = Eк /(βст Rк).

Таким образом, точка Мо на рисунке 4.3, б представляет собой точку пересечения линии нагрузки с начальным участком коллекторной характеристики транзистора при Iб = Iб.гр.

При дальнейшем увеличении тока базы (Iб > Iб. гр) остаточное напряжение ΔUкэ..откр остается почти неизменным, так как все коллекторные характеристики транзистора при Iб > Iб. гр практически проходят через точку Мо на рисунке 4.3, б. Режим работы открытого транзистора при Iб > Iб. гр называют насыщенным, а отношение S = Iб /Iб. гр - коэффициентом насыщения транзистора.

Режим насыщения широко используют для обеспечения открытого состояния транзистора. Его открытое состояние при этом становится более устойчивым к воздействию помех во входной цепи, а положение точки Мо не зависит от изменения коэффициента передачи тока βст транзистора, в частности, с понижением температуры. В режиме насыщения ток базы транзистора

,

где коэффициент S для надежного насыщения транзистора в требуемом температурном диапазоне может составлять 1,5…3,0. Найденный ток базы обеспечивается параметрами входной цепи ключевой схемы:

Iб = (Uвх− Uбэ) / Rб.

Рассмотрим процессы, протекающие в ключевой схеме при наличии на ее входе управляющего импульса напряжения (рисунок 4.4, а). Это необходимо для выяснения свойств схемы при передаче импульсных сигналов. Примем входной импульс напряжения идеальной прямоугольной формы (длительности переднего и заднего фронтов импульса равны нулю).


На интервале t0 - t1, когда входной импульс напряжения отсутствует, транзистор заперт напряжением Uвх..зап положительной полярности. Токи Iб, Iк определяются тепловым током транзистора Iк0 (рисунок 4.4, б, в). Напряжение на транзисторе Uкэ = – (ЕкIк0 Rк) (рисунок 4.4, г).

С момента времени t1 (cм. рисунок 4.4, а) процессы в схеме обусловливаются отпиранием транзистора входным импульсом напряжения отрицательной полярности Uвх.отп. Это сопровождается изменением тока iк и напряжения uкэ транзистора (рисунок 4.4, в, г). Как видно из диаграмм, характер трансформирования iк и uкэ при отпирании транзистора отличается от вызвавшего их скачкообразного изменения

а - входной импульс напряжения; б - ток базы; в - ток коллектора;г - напряжение на коллекторе

Рисунок 4.4 - Диаграммы напряжений и токов ключевой схемы


входного напряжения. Отличие обусловлено инерционностью транзистора и проявляется в постепенных нарастании тока iк и уменьшении напряжения uкэ. В первом приближении можно принять, что изменения iк(t) и uкэ(t) происходят по экспоненте. Тогда инерционность транзистора может быть учтена эквивалентной постоянной времени τВ = τβ + τк в предположении τк = к(э) Rк, где к(э) - интегральная (для большого сигнала) емкость коллекторного перехода транзистора в схеме ОЭ.

Если принять, что ток базы в интервале отпирания имеет прямоугольную форму с амплитудой Iб.отп Uвх.отп / Rб > Iб.гр (см. рисунок 4.4, б), то вызванный им ток iк (t) будет изменяться по закону:

. (4.2)

Коллекторный ток возрастает по экспоненциальному закону, стремясь к βст Iб.отп > Eк / Rк (см. рисунок 4.4, в). Однако, достигнув предельного значения Iк Eк / Rк, ток iк в дальнейшем не изменяется и формирование фронта импульса iк заканчивается. Положив в формуле (4.2) iк = Iк, находим длительность фронта нарастания коллекторного тока транзистора:

. (4.3)

С учетом того, что Iк /βст = Iб гр , а Iб.отп /Iб гр = S имеем:

. (4.4)

Из соотношения (4.4) следует, что длительность фронта импульса сокращается с увеличением коэффициента насыщения транзистора. Это объясняется тем, что большему коэффициенту S соответствует больший отпирающий базовый ток, вследствие чего ток коллектора достигает установившегося значения за меньший интервал времени. Так, например, при τВ = 5 мкс и S = 3 получаем tф = 2,03 мкс. При S = 1 (транзистор при отпирании работает в активном режиме) соотношение (4.4) не может быть использовано для определения tф. В этом случае уместно говорить об активной длительности фронта, определяемой относительно уровней 0,1 и 0,9 установившегося значения коллекторного тока (4.2): tф = τВ ln 0,9/0,1 = 2,2 τВ.

Характер изменения uкэ(t) при отпирании транзистора (см. рисунок 4.4, г) подчиняется зависимости uкэ(t) = –Ек + iк (t) Rк.

В момент времени tЗ действие входного отпирающего импульса напряжения заканчивается. К базе транзистора прикладывается запирающее напряжение Uвх.зап (см. рисунок 4.4, а). При этом ток коллектора и напряжение uкэ в течение некоторого времени остаются неизменными, а транзистор по прежнему открыт. Создается задержка в запирании транзистора. Это объясняется тем, что до момента времени tЗ транзистор находился в режиме насыщения и при поступлении запирающего сигнала ток коллектора еще поддерживается уходящими из базы в коллектор избыточными носителями заряда (дырками). Только после ухода (рассасывания) избыточных носителей и перехода транзистора в активный режим ток коллектора начинает уменьшаться, а напряжение на коллекторе - возрастать (см. рисунок 4.4, в, г). Помимо ухода избыточных носителей заряда по цепи коллектора их рассасывание осуществляется и по цепи базы за счет протекания обратного тока Iб.обр, вызванного запирающим напряжением. Обратный (инверсный) ток базы при этом ограничивается сопротивлением Rб входной цепи: Iб.обр Uвх.зап /Rб.

Время, в течение которого происходит рассасывание избыточного заряда в базе, называется временем рассасывания tр (см. рисунок 4.4, в). Это время пропорционально коэффициенту насыщения S. Следующий затем интервал спадания тока iк определяет время заднего фронта (среза) tс коллекторного тока.

При определении tp и tc необходимо решать уравнение, описывающее изменение заряда в базе. Ввиду пропорциональности заряда в базе току коллектора (базы) процесс, протекающий в транзисторе после момента времени t3, выражается через токи транзистора в следующем виде:

, (4.5)

где τβ' - эквивалентная постоянная времени, примерно равная времени жизни неосновных носителей заряда в базе в режиме насыщения, но меньше постоянной времени τβ, действительной для активного режима (τβ'τβ /2). Выражение (4.5) является уравнением экспоненциальной кривой, показанной в интервале t3 - t4 пунктиром (см. рисунок 4.4, в).

Положив в выражении (4.5) iк = IкEк /Rк = βст Iб.гр, находим

. (4.6)

При Uвх.отп = 0 ток Iб.обр = 0 и tp = τβ' ln S.

После выхода транзистора из насыщения ток iк(t) уменьшается от значения Iк, также стремясь к βст Iб.гр (рисунок 4.4, в), т. е.

. (4.7)

Положив в формуле (4.7) iк = 0, получаем, что

. (4.8)

Длительности tф, tp, tc характеризуют быстродействие транзисторного ключа. Как следует из выражений (4.3), (4.6), (4.8), они зависят от частотных свойств транзистора и параметров импульса базового тока. Порядок их величин составляет от долей единицы до единиц микросекунды.

В настоящее время широко используется (особенно в интегральных микросхемах) ключевой режим работы кремниевых транзисторов типа п-р-п. По построению и характеру работы ключевая схема на таком транзисторе аналогична схеме рисунка 4.3, а. Отличие заключается в противоположных полярностях напряжения питания Ек и отпирающего напряжения Uвх.отп, а также в противоположных направлениях токов базы, эмиттера, коллектора.

Кремниевые транзисторы, в частности типа п-р-п, имеют довольно малый тепловой ток Iк0. Влияние тока Iк0 в выходной и входной цепях закрытого транзистора пренебрежимо мало. По этой причине запирание этих транзисторов осуществимо при Uвх.зап = Uбэ = 0. Эта особенность кремниевых транзисторов дает важное практическое преимущество - возможность исключить дополнительные источники запирающего напряжения в базовых цепях, необходимые для германиевых транзисторов.







Сейчас читают про: