2015-05-26
676
Учет зависимости концентрации и подвижности носителей заряда от температуры в полупроводнике позволяет описать электропроводность по областям I, II и III (см. рис.2.5, 2.6) следующими соотношениями (возьмем д полупроводник n -типа).
1. Область примесной проводимости:
= enn(T)×m(T)~ 
. (1.2.30)
2. Область истощения примеси:
=e 
m(T)~ 
. (1.2.31)
3. Область собственной проводимости:
=e 
~
~ 
. (1.2.32)
Соотношения (1.2.30) – (1.2.32) для полупроводника p -типа - аналогичны. Значение величины m определяется механизми рассеяния.
Рис. 2.6 Температурная зависимость электропроводности (n - тип)
Отметим некоторые характерные особенности зависимости ln(s)=f(1/T) (см. рис. 2.6). В области истощения примеси температурная зависимость электропроводности определяется зависимостью подвижности от температуры. В областях примесной и собственной ионизации зависимость s(T) в основном определяется температурной зависимостью концентрации носителей.
Анализ выражений (1.2.30) - (1.2.32) показывает, что если пренебречь слабой степенной зависимостью предэкспоненциальных множителей от температуры, то в координатах ln(s)=f(1/T) это будут прямые линии с тангенсом угла наклона 
и 
, соответственно. Таким образом, экспериментальная зависимость ln(s)=f(1/T) позволяет определить энергию ионизации примеси DWd и ширину запрещенной зоны Wg по углам наклона прямых в областях примесной и собственной ионизации.
