Что такое анизотропия? От чего она зависит?

Под анизотропией понимают преимущественное удаление материала функционального слоя в направлении, перпендикулярном его поверхности. Показатель анизотропии травления определяется по формуле:

А = V_в/V_г = d/b

или

А = 1 – V_г/V_в,

где d - глубина травления,

b - величина бокового подтравливания функционального слоя под маску,

V_в и V_г – скорости травления функционального слоя в вертикальном и горизонтальном направлениях соответственно.

Анизотропия как и селективность существенно зависит от состава рабочего газа, давления, плотности мощности разряда, а также от характера протекающей гетерогенной реакции (химической или ионностимулированной).

В области низких частот с понижением частоты электрического поля, при прочих одинаковых параметрах разряда, об­ласти пространственного заряда сжимаются, а максимальная энергия ионов, бомбардирующих ВЧ-электрод, возрастает. В тонких приэлектродных оболочках рассеивание ионов значительно меньше и ос­новная доля их движется в направлении приложенного поля. Вероят­но, по этим двум причинам на низких частотах (10-300 кГц) анизо­тропия травления кремния значительно выше той, которая получена на частоте 13,5 МГц.

С уменьшением давления растет и переменное напряжение ,что вызвано повышением импеданса приэлектродного слоя. Энер­гия ионов, бомбардирующих подложку, будет расти: с одной стороны, в результате повышения ВЧ-потенциала или его постоянной состав­ляющей, с другой - вследствие уменьшения столкновений ионов в приэлектродной оболочке.

В описанных условиях анизотропия травления резко повышается для всех рассмотренных диапазонов частот электрического поля