Схематично изобразите профили травления после жидкостного химического травления и плазменного травления. Объясните отличия в профилях (если они есть)

А) характерно для плазменного травления Si в смеси SF6+O2, обусловлено образованием пассивирующего слоя SiOx на стенках канавки

Б) характерно для изотропного ЖХТ SiO2 в буферном травителе (HF+H2O)

Чему равняется потенциал смещения в диодной системе плазменного травления?

Потенциал между плазмой и нижним электродом, на котором расположены подложки, достигает нескольких сот вольт.

Запишите формулу для вычисления неравномерности травления.

U = ± (V_max – V_min) 100% / 2V_ср,

где V_max – максимальная скорость травления слоя,

V_min – минимальная скорость травления слоя,

V_ср – средняя скорость травления слоя.