Классификация методов плазменного травления

По физико – химическому механизму взаимодействия частиц НГП с поверхностью обрабатываемого материала процессы травления можно разделить на три группы:

1. Ионное травление (ИТ), при котором поверхностные слои материалов удаляются только в результате физического распыления. Распыление осуществляется энергетическими ионами газов, химически не реагирующими с обрабатываемым материалом (обычно ионами инертных газов). Под энергетическими ионами и атомами понимаются частицы с энергией в диапазоне Е = 0,1 – 2,0 кэВ. Если поверхность обрабатываемого материала находится в контакте с плазмой (т.е. плазма является средой, в которой проходит процесс, и источником ионов, которые его осуществляют), то травление называют ионно – плазменным (ИПТ). Если поверхность образца не контактирует с плазмой, которая используется только как источник ионов, осуществляющих травление, то травление называют ионно – лучевым (ИЛТ).

2. Плазмохимическое травление (ПХТ), при котором поверхностные слои материалов удаляются в результате химических реакций. Химические реакции происходят между ХАЧ и поверхностными атомами с образованием летучих продуктов. Если поверхность обрабатываемого материала находится в контакте с плазмой, то травление называют плазменным (ПХТ). При ПХТ химические реакции стимулируются низкоэнергетическими электронной и ионной бомбардировками, а также воздействием излучения. Если же поверхность образца не контактирует с плазмой, которая используется только как источник ХАЧ, то такое травление называют травлением свободными атомами и радикалами или радикальным травлением (РТ). РТ осуществляется спонтанно без какой – либо стимуляции.

3. Реактивно – ионное травление (РИТ), при котором поверхностные слои материалов удаляются в результате как физического распыления энергетическими ионами, так и химических реакций между ХАЧ и атомами материалов. Если поверхность обрабатываемого материала находится в контакте с плазмой то травление называют реактивным ионно – плазменным (РИПТ). При РИПТ на поверхность образца воздействуют энергетические ионы, свободные атомы и радикалы, электроны и излучение. Если поверхность образца не контактирует с плазмой, которая используется только как источник энергетических химически активных ионов, то такое травление называют реактивным ионно – лучевым (РИЛТ). В процессе РИЛТ поверхность материала подвергается воздействию молекулярных или атомарных ионов, которые кроме физического распыления в результате ударной диссоциации и нейтрализации образуют ХАЧ, вступающие в химические реакции с обрабатываемым материалом.