Белорусский государственный университет

Экзаменационный билет № 7

Дисциплина«Физические основы ионно-фотонной обработки материалов»

Весенняя экзаменационная сессия

1. Высокоэнергетическая ионная имплантация. Энергетический критерий аморфизации.

2. Пробеги ионов. Профили распределения внедренных атомов и выделенной энергии в ядерном и электронном торможении.

Зам. заведующего кафедрой Преподаватель

Дата утверждения 21.05.2015

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Экзаменационный билет № 8

Дисциплина«Физические основы ионно-фотонной обработки материалов»

Весенняя экзаменационная сессия

1. Эффект каналирования. Влияние эффекта каналирования на пробеги ионов.

2. Дефектно-примесная инженерия в ионноимплантированном кремнии при создании элементов микроэлектроники. Примеры применения процессов дефектно-примесной инженерии.

Зам. заведующего кафедрой Преподаватель

Дата утверждения 21.05.2015

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Экзаменационный билет № 9

Дисциплина«Физические основы ионно-фотонной обработки материалов»

Весенняя экзаменационная сессия

1. Распределения имплантированных атомов при высоких дозах облучения.

2. Позитивные и негативные характеристики метода ионной имплантации в приложениях технологий электроники.

Зам. заведующего кафедрой Преподаватель

Дата утверждения 21.05.2015

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Экзаменационный билет № 10

Дисциплина«Физические основы ионно-фотонной обработки материалов»

Весенняя экзаменационная сессия

1. Распыление материалов ионными пучками. Расчет коэффициента распыления материалов ионными пучками.

2. Сечение ядерного (упругого) торможения ионов в твердых телах.

Зам. заведующего кафедрой Преподаватель

Дата утверждения 21.05.2015

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Экзаменационный билет № 11

Дисциплина«Физические основы ионно-фотонной обработки материалов»

Весенняя экзаменационная сессия

1. Механизмы аморфизации при ионной имплантации полупроводниковых кристаллов. Влияние температуры облучаемых пластин кремния на процессы дефектообразования и аморфизации.

2. Метод моментов распределений для профилей внедренных атомов.

Зам. заведующего кафедрой Преподаватель

Дата утверждения 21.05.2015

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

Экзаменационный билет № 12

Дисциплина«Физические основы ионно-фотонной обработки материалов»