1. Дифференциальное сечение рассеяния в ион-атомном столкновении.
2. Методы подавления эффекта каналирования ионов в кристаллах кремния.
Зам. заведующего кафедрой Преподаватель
Дата утверждения 21.05.2015
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
Экзаменационный билет № 13
Дисциплина«Физические основы ионно-фотонной обработки материалов»
Весенняя экзаменационная сессия
1. Типы ионно-радиационных дефектов.
2. Процессы трекообразования в твердых телах при облучении ионами высоких энергий. Применение трековых технологий.
Зам. заведующего кафедрой Преподаватель
Дата утверждения 21.05.2015
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
Экзаменационный билет № 14
Дисциплина«Физические основы ионно-фотонной обработки материалов»
Весенняя экзаменационная сессия
1. Формирование скрытых аморфных слоев. Энергетический критерий аморфизации.
2. Метод Монте-Карло для расчета профилей концентрации внедренных атомов и создаваемых дефектов структуры.
|
|
Зам. заведующего кафедрой Преподаватель
Дата утверждения 21.05.2015
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
Экзаменационный билет № 15
Дисциплина«Физические основы ионно-фотонной обработки материалов»
Весенняя экзаменационная сессия
1. Диффузионное перераспределение примесей. Его особенности при термообработке в окисляющей среде.
2. Решение транспортного уравнения Больцмана для расчета профилей концентрации внедренной примеси и создаваемых дефектов структуры.
Зам. заведующего кафедрой Преподаватель
Дата утверждения 21.05.2015
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
Экзаменационный билет № 16
Дисциплина«Физические основы ионно-фотонной обработки материалов»
Весенняя экзаменационная сессия
1. Влияние эффекта каналирования на пробеги ионов и формирование дефектов структуры.
2. Каскады атомных столкновений. Механизмы распыления материалов ионными пучками.
Зам. заведующего кафедрой Преподаватель
Дата утверждения 21.05.2015
БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
Экзаменационный билет № 17
Дисциплина«Физические основы ионно-фотонной обработки материалов»
Весенняя экзаменационная сессия
1. Пробеги ионов в кристаллах: средний проецированный пробег, страгглинг, асимметрия, эксцесс.
2. Особенности в процессах создания КНИ-структур методом высокодозной имплантации ионов кислорода и азота.
Зам. заведующего кафедрой Преподаватель
Дата утверждения 21.05.2015