Энергия, эВ

1 – рентгенолюминесценция; 2 – фосфоресценции; 3 - фотостимулированная люминесценция

Рисунок 4.11 - Спектры люминесценции кристалла

температуре 300 К

NaSO4облученного при

Мы предполагаем, что положение этих полос излучения должно зависеть

от температуры и времени облучения: расположение дырок (SO -

- радикалов) в

зависимости от температуры облучения, по различным кристаллографическим направлениям связана с существованием в сульфатах щелочных металлов несколько фазовых переходов.

Например, в кристаллах

LiKSO 4существует 10 фазовых переходов при

температурах 30, 60, 80, 135, 165, 190, 205¸708 и 943 К. Авторы работы [57] в

-

облученном при 80 К кристалле

LiKSO 4 - Tl

показали что

SO 4- радикалы

расположенные возле примеси

Tl + (Tl 2+) при определенных температурных

интервалах могут переходит в другие типы Tl 2+ - центров. Изменение

интенсивности линий сигналов ЭПР в зависимости от температуры соответствующих различным Tl 2+ – центром показано на рисунке 4.13.

1 – пик ТСЛ при 140 К; 2 – пик ТСЛ при 185–190 К; 3 – пик ТСЛ при 175 К; 4 – 195 К

Рисунок 4.12 - Спектры создания пиков ТСЛ К кристалла

LiKSO 4

Нами обнаружено появление пиков ТСЛ в тех температурных интервалах в

которых преобразуются

Tl 2+ - центров. Мы экспериментально показали

появление пиков ТСЛ при температурах 160 и 205 К (рисунок 4.13). Возможно

при этих температурах часть

SO --радикалов излучательно рекомбинируют с

электронными центрами захватов, оставшейся часть в момент фазовых переходов переориентируются в другие типы Tl 2+ - центров.

Авторами работ [56] в облученных кристаллах CaSO4 методами ЭПР

показаны образование

SO -

центры различной термической стабильности в

температурном интервале от 360 К до 450 К. Как известно, термическая стабильность дырок определяется энергетическими расстояниями от локального уровня в запрещенной зоне до потолка валентной зоны.

1,0

V IV

1

III

0,5

175 200 225

Температура, К

0,0

80 120 160 200 240 280 320 360 400