Принцип работы полупроводниковых диодов

При включении контактирующих n- и p- полупроводников во внешнюю цепь источника электрической энергии, внешнее электрическое поле, усиливая поле контактного слоя, вызовет движение электронов в n-проводнике и дырок в p-проводнике в противоположные стороны от контакта. Толщина запирающего слоя и его сопротивление будут возрастать. Такое направление внешнего электрического поля называется запирающим. В этом направлении ток через p-n переход практически не проходит. При изменении полярности внешнего приложенного напряжения внешнее электрическое поле с напряженностью E_внешн направлено противоположно полю контактного слоя. Встречное движение электронов и дырок, перемещающихся под действием внешнего поля из глубины полупроводников к области p-n перехода, увеличивает число подвижных носителей тока на контакте. Толщина и сопротивление контактного слоя при этом уменьшаются, и в таком пропускном направлении электрический ток проходит через p-n переход. Вентильное действие p-n перехода аналогично выпрямляющемуся действию двухэлектродной лампы –диода, и полупроводниковое уст-во, содержащее один p-n переход, называется полупроводниковым диодом. Кристаллические триоды или транзисторы содержат два p-n перехода.