2020-01-14
175
Задача: определить обратный ток коллекторного перехода Iк.обр.
Обратный ток коллекторного перехода состоит из 3х компонент: теплового тока; тока термогенерации; тока обусловленного рекомбинацией на поверхности базы:
Iк.обр = Iко + Iген + Iрек.б (39).
1. Тепловой ток слагается из 2х компонент:
Iко = Iкоб + Iкок (40).
Здесь токи Iкоб и Iкок токи ННЗ, попадающих в переход из областей базы и коллектора соответственно:
(41),
(42).
Iкоб = 8,450151*10-9 А,
Iкок = 1,46633*10-7 А,
Iко = 1,658616*10-7 А.
2. Ток термогенерации коллекторного перехода Iген при заданном напряжении на коллекторном переходе много больше jk:
Iген = 
(43),
Iген = 2.63 10-7 А.
3. Ток поверхностной рекомбинации Iрек.б пропорционален величине поверхности, на которой происходит рекомбинация. В данном случае эту роль играет верхняя часть поверхности диффузионного слоя Аn:
Аn = (p - d) + pd2 (44).
Скорость поверхностной рекомбинации S = 900 см/с
(45),
Iрек = 9 10-8 А.
Далее по формуле (39) находим Iк.обр:
Iк.обр = 7,715074*10-7 А.
Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры
|
|
|
Задача: Определение величины Ikmax или Pkmax, а также толщины кристалла – заготовки и других элементов кристаллической структуры.
1. Определение допустимого значения теплового сопротивления.
Тепловое сопротивление RT связывает перепад температур DT между коллекторным переходом и окружающей средой с мощностью, рассеиваемой в переходе Рк:
DT = RT Рк = RT Uк Iк (46).
Тепловое сопротивление корпуса RTк = 0.1 К/мВт.
Тепловое сопротивление транзисторной структуры RTСТ:
RT = RTСТ + RTк (47).
RT находим из формулы (46)
RT = DT/ Рк = 0,783334 К/мВт.
DT = Tk.max – Tокр.ср = 70 – 25 = 45о.
Из соотношения (47) находим RTСТ:
RTСТ = RT - RTк = 0,683333 К/мВт.
2. Расчет величин теплового сопротивления транзисторной структуры:
RTСб = 
(48),
RTСб = 0,06578575*4,16=0,2704 К/мВт.
Rт=RTCT + RТК = 0,27+0,1=0,37 К/мВт.
