Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот

 

Задача: определение сопротивлений эквивалентной схемы, дифференциальных, диффузионных и омических сопротивлений ЭС транзистора.

Рис. 3. Эквивалентная схема транзистора в схеме с ОБ.

 

1. Дифференциальное сопротивление эмитера:

 (27),

 = 1,438889 Ом.

2. Сопротивление базы есть сумма омического сопротивления  и диффузионного  сопротивлений, а также сопротивления растекания базового контакта :

 (28).

Сопротивления  можно найти по формуле:

 (29),

Для центрального расположения :

 (30),

= 26,82607 Ом

Для центральной части выводов эмиттера и базы:

 (31),

где  = 0.004245Омсм,

= 48,10962 Ом

=74,93569

Диффузионное сопротивление учитывающее внутреннюю обратную связь в транзисторе за счет эффекта Эрли равно:

 (32),

 = 110,3175

Для сплавно-диффузионных транзисторов  << , поэтому  не учитывается:

 = 36 Ом.

 

3. Сопротивление коллектора.

Задача: определить диффузионное и омическое сопротивление коллектора.

Для плавного коллекторного перехода:

 (33),

где параметр L_ok находится по формуле:

 = 9.84 10^-3 см (34),

 = 1,932747_*10^-4 мкм (35),

r_k = 3,232326_*10⁷ Ом,

 = 2,475851 Ом.

 

4. Граничные частоты.

Определив величины зарядных емкостей переходов и сопротивлений ЭС, зная время пролета базы ННЗ можно найти величину f_a:

f_a = [2p(t_пр + С_зэ r_э + С_зк r_б^’)]^-1 (36),

где, r_э=1,438889, С_э=1,677762_*10^-11

f_a = 103,7305 МГц.

Найдём величину максимальной частоты генерации, воспользовавшись выражением (37):

f_max =  (37),

f_max = 150,7364 МГц.

Рассчитаем граничную частоту коэффициента передачи тока в схеме ОЭ по формуле (38)

 МГц. (38)