Задача: для рассчитанного Wq определить коэффициент передачи тока a0 и сравнить его с требуемым.
Коэффициент передачи тока можно записать как:
a0=g0 c0 a* (16).
Далее, рассчитываем коэффициент инжекции g0:
g0=1 (17).
Для его определения необходимо найти:
Lнб= 105.2792 см (18),
g0=0.996913.
Далее находим коэффициент переноса ННЗ через базу:
c0 = 1 - =0.9996758 (19).
Теперь необходимо рассчитать коэффициент усиления ННЗ в коллекторе по формуле:
a* = 1 + (20),
a* @ 1.
и, наконец, мы можем рассчитать a0:
a0 = g0 c0 a* = 0.9905917
Расчет емкостей и размеров переходов
Задача: Определить барьерные (зарядные) емкости и величины поверхности коллекторного и эмитерного переходов, а так же геометрические размеры полупроводниковой пластины, в которой формируется транзисторная структура.
1. Зарядная емкость коллекторного перехода. Cзк и величина поверхности коллекторного перехода Sк:
Коллекторный переход плавный, поэтому:
Cзк = Sк (21).
Известно, что:
Cзк = 2*10-12 пФ и Sк = 2.678418*10-4 см2.
Исходя из данных значений Cзк и найдено максимальное значение Sкmax. Можно считать, что:
|
|
Sкmax = 0.9 c d (22).
Задаемся значением p = 150*10-4 см.
Добавив к нему 250 мкм находим с
с = (250 + 150) *10-4 = 400*10-4см
1. Зарядная емкость эмитерного перехода. Cзэ и величина поверхности эмитерного перехода Sэ:
Эмитерный переход резкий, поэтому:
Cзэ = Sэ (23).
Для нахождения Cзэ необходимо найти jкрп и Аэ:
jкрп = jт = 0.5136617В (24),
Sэ = Ik (25).
Задаемся величиной Uэб = 0.2313273В, соответствующей
Sэ = 3.769911*10-5см2.
Теперь можно рассчитать Cзэ по формуле (26):
Cзэ =1,677762*10-11Ф.
3. Размеры эмитера и базы.
Размеры металлических выводов определяются величиной Sэ и и глубиной вплавления электрода в кристалл hэ:
Rэ = - hэ + (26).
Величина hэ выбирается в пределах hэ = 10..30мкм, выбираем hэ = 20мкм.
Rэ = 20мкм.
Для центрального расположения выводов Rэ = Rб, Rб = 20мкм.