Расчёт толщины базы и концентраций примесей

1 2 3 4 5 6 7

Действующая толщина базы определяется соотношением (1).

, (1)

где t_пр-время пролёта базы

t_{пр= ,}(2)

где - коэффициент запаса по частоте f, =1,3

сек.

Задавшись величиной перепада концентраций примеси на границах базы х=200, выразим среднее значение концентрации примеси на границах базы по формуле (3).

, (3)

Так как , (4) необходимо определить концентрацию примеси, формирующей коллекторную область

Для нахождения концентрации базы N_Б используем связь напряжения пробоя U_проб с удельным сопротивлением коллектора ρ_к:

, (5)

где - низкочастотное значение коэффициента передачи тока в схеме ОБ , (6)

Удельное сопротивление коллектора рассчитывается по формуле (7)

, (7)

Для выбранного нами типа структуры транзистора (Ge, p-n-p)

B=5.2, n=0.61, l=1/6 /1/

x=0.8 (для дрейфовых транзисторов). Подставим численные значения в выражение (7), а затем в (5).

₌ 0,9903 Ом*см

=12,748 В

По графику изображенному на рис3.3.1 найдём величину концентрации N_o

Определим среднее значение концентрации примеси N_Б, формирующий проводимость базы с помощью соотношений (3) и (4)

По графику, на рис 3.4.1, найдём среднее значение подвижности не основных носителей заряда в базе

Определим среднее значение коэффициента диффузии в базе, воспользовавшись соотношением (8)

, (8)

где - тепловой потенциал, мВ

(9)

Подставив вышеопределённые значения в формулу (1), найдём действующую толщину базы.

Величина концентрации примеси, формирующей проводимость базы, на поверхности кристалла N_Б(0) определится из соотношения (10)

, (10)

где х_1Б=0,2 мкм

α_Б- коэффициент передачи тока с общей базой , (11)

1,217*10^-4

Подставим численные значения в выражение (10)

Задавшись величиной отношения N_оэ/N_б(0), найдём концентрацию эмиттерной примеси. N_оэ/N_б(0)=3.

Из соотношения (12) выразим концентрацию основных носителей эмиттера. N_оэ=3*N_б(0)

N_оэ=3* =3,826421*10¹⁸ см^-3

Проверим не превышает ли расчётное значение напряжения пробоя коллекторного перехода U_пр величину напряжения прокола транзистора U_прок, которое рассчитывается по формуле (13)

, (13)