Уменьшение размера транзистора в направлении протекания эмиттерного тока ограничено возрастанием туннельных токов в эмиттерном и коллекторном переходах. Чтобы сформировать в монокристалле два p – n - перехода с достаточной шириной области пространственного заряда (для защиты от туннельных токов) и электронейтральную область базы, необходимо около 0,2 мкм кремния. Экспериментально получены образцы микросхем с шириной эмиттера 0,2 мкм и глубиной коллекторного перехода также 0,2 мкм. Диапазон рабочих напряжений таких микросхем не превышает 2 В. В настоящее время эффективно применяются кремниевые транзисторы с шириной эмиттера 0,4¸0,5 мкм. Развитие технологии субмикронных биполярных микросхем идет по пути применения других полупроводниковых материалов (SiGe, GaAs и др.).
Типовые структуры и характеристики кремниевых
МОП - транзисторов
Типовая структура МОП - транзистора с каналом n - типа проводимости показана на рис. 1.4. Основные элементы структуры: сток, исток, затвор, подложка (или изолированный «карман»). Области истока и стока легированы одинаково. Функции этих электродов определяются приложенными напряжениями и могут меняться при изменении режимов работы электрической схемы.
|
|
Рис. 1.4. Типовая структура МОП - транзистора
Кратко рассмотрим принцип работы МОП - транзисторов. В режиме включения с общим истоком этот электрод и подложка подключаются к общей шине, а на затвор и сток подаются положительные напряжения. Поле затвора проникает сквозь диэлектрик в подложку, отталкивает основные носители (дырки) и притягивает неосновные (электроны). Когда напряжение на затворе (Uз) превышает пороговое (Uп), проводимость инверсного слоя электронов становится значительной. Под затвором образуется канал, индуцированный электрическим полем. Режим при Uз < Uп называется режимом слабой инверсии, при Uз ³ Uп – режимом сильной инверсии.
Если Uз – Uс > Uп, то режим сильной инверсии сохраняется вдоль всей длины канала, а ток стока почти линейно возрастает с напряжением на электроде стока (рис. 1.5). Этот режим называется крутой областью ВАХ. При Uз – Uс £ Uп, под затвором со стороны стока условие высокого уровня инжекции нарушается, а выходные ВАХ меняют наклон. Дифференциальное сопротивление стока резко возрастает. Этот режим называется пологой областью ВАХ.
Рис. 1.5. Семейство выходных ВАХ n - канального МОП - транзистора
Электрическое поле в МОП - транзистор неодномерное и неоднородное. Описать аналитически все режимы очень сложно. Для качественного представления используется модель транзистора с длинным каналом и постоянной подвижностью.
|
|
В режиме слабой инверсии (Uз < Uп) ток в канале определяется термоэлектронной эмиссией над потенциальным барьером истокового p – n - перехода.
. (1.13)
Фактор n > 20 сравнительно слабо зависит от напряжения на стоке и длины канала.
В крутой области ВАХ описывается формулой
(1.14)
где mп – подвижность электронов в канале; W и L – ширина и длина канала, соответственно; Cок – удельная емкость подзатворного окисла.
В пологой области
. (1.15)
Модель длинного канала пренебрегает зависимостью тока стока от напряжения стока. В уточненной модели учитывается уменьшение эффективной длины затвора при возрастании напряжения на стоке. В формулу 1.15 вместо L надо подставить значение Lэфф:
, (1.16)
где eS i – диэлектрическая проницаемость кремния; q – заряд электрона; Nа – концентрация акцепторов в подложке.