Увеличение функциональной сложности, степени интеграции и быстродействия СБИС, а также числа выводов и рассеиваемой мощности при высоком уровне требований к изделиям активизировало работы по созданию разнообразных конструкций корпусов, отвечающих технико - экономическим требованиям микроминиатюризации.
Динамика развития основных исходных конструкторских параметров кристаллов СБИС представлена в табл. 17.2.
Таблица 17.2
Динамика развития основных исходных конструкторских