2020-04-12
154
Рис. 17.3.
На рис.17.3 показана схема резки полупроводникового материала диском с наружной алмазной режущей кромкой. Диски 1 и прокладки 3 устанавливают в шпинделе станка и зажимают с двух сторон фланцами 2. В процессе резки диски вращаются со скоростью 5000 об/мин, охлаждаются жидкостью. Разрезаемый полупроводниковый материал 5 закрепляют мастикой 6 на подложке 7, расположенной на рабочем столе станка, и подают к диску.
Основным недостатком резки диском с наружной режущей кромкой является невысокая жесткость инструмента, зависящая от соотношения его размеров (толщины и внешнего диаметра). Диски в процессе резки под действием сил резания изгибаются и вибрируют в осевом направлении, что приводит к сколам, трещинам, рискам, а также увеличению ширины пропила.
Повысить жесткость диска можно, увеличив скорость его вращения. Возникающие при атом центробежные силы, направленные по радиусу диска, придают ему дополнительную жесткость. Однако при скорости свыше 12000 об/мин возрастает вибрация станка.
Другой путь – увеличение толщины диска, так как амплитуда колебаний обратно пропорциональна его толщине, но этот путь ведет к увеличению ширины реза и, как следствие, к увеличению расхода материала.
Резка ультразвуком
При ультразвуковой резке (УЗР) к рабочему торцу инструмента 1 (рис.17.4), совершавшего ультразвуковые возвратно-поступательные колебания в направлении обрабатываемого изделия 3, подается абразивная суспензия 2. Абразивные частицы под действием инструмента выкалывают микрочастицы материала (действуют как штамп), что дает возможность получать заготовки сложной формы в виде круглых кристаллов менее 1 мм, а также кристаллов с глухими отверстиями.
Рис. 17.4. Схема ультразвуковой резки:
1 – инструмент; 2 – абразивная суспензия; 3 –заготовка
