Обработка результатов эксперимента

 

Для получения достоверных данных измерение проводится на трех пленочных элементах заданной толщины. Искомые значения ρ и d находятся как среднее по трем измерениям. Результаты измерений заносятся в таблицу.

По данным таблицы строятся графические зависимости:

1) ρ _s = f (d), ρ   = f (d);

2) ρ d = f (d);

3) 1/ρ d = f (lg d).

После построения кривых вычисляются значения l, m.

 

ПОРЯДОК ВЫПОЛНЕНИЯ РАБОТЫ

 

1. Для выполнения работы получить у преподавателя набор образцов с разной толщиной пленочных элементов и пинцет для обращения с образцами.

2. Ознакомиться с оборудованием и приборами, необходимыми для выполнения работы.

3. Произвести замеры толщины пленочных элементов на интерферометре МИИ-4.

ВНИМАНИЕ! Брать и перемещать образцы с пленочными элементами можно только с помощью пинцета  во избежание их загрязнения.

4. Произвести замеры длины и ширины пленочных элементов с помощью микроскопа БМИ-1.

5. Произвести замеры сопротивления пленочных элементов с помощью контактного устройства и цифрового вольтметра.

6. Произвести расчеты и заполнить таблицу экспериментальных данных. Критерием правильности проведенного эксперимента может служить вид функции ρ _s = f (d). С увеличением d значения ρ _s  должны уменьшаться, достигая насыщения при толщинах ~800–1000 нм.

7. Построить графические зависимости . Сравнить расчетные и экспериментальные данные между собой. Сделать вывод о причинах расхождения.

8. Построить зависимости и определить значения длины свободного пробега l и параметрa зеркальности m.

СОДЕРЖАНИЕ ОТЧЕТА

1. Цель работы.

2. Краткие теоретические сведения о размерном эффекте в тонких пленках.

3. Схемы измерений.

4. Таблицы экспериментальных данных.

5. Графические зависимости и их обработка.

6. Выводы.

 

КОНТРОЛЬНЫЕ ВОПРОСЫ

 

1. Что такое размерный эффект?

2. Чем обусловлено сопротивление тонких металлических пленок?

3. Какое влияние на проводимость пленок оказывают структурные дефекты?

4. Что такое диффузное и зеркальное рассеяние электронов на поверхностях пленки?

5. Чем объясняется более высокое удельное сопротивление пленок по сравнению с массивными образцам?

 

Литература

 

1. Чопpа, К. Л. Электрические явления в тонких пленках/ К. Л. Чопра. –М.: Мир, 1972. – 455 с.

2. Хасс, Г. Физика тонких пленок. Т.1/ Г. Хасс.– М.: Мир, 1967.– 343 с.

3. Технология тонких пленок: Сб. статей. Т.2. / Под ред. Л. Майселла, Р. Глэнга; Пер. с англ. М. И. Елинсона, Г. Г. Смолко.– М.: Сов.радио 1977. – 768 с.

 

                                                                                        Св. план 2015 г., поз. 8

 

Учебное издание

 

Достанко Анатолий Павлович

Телеш  Евгений Владимирович

Холенков Вадим Федорович

Вашуров Александр Юрьевич

 

 

ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ                                    МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ:

 

ЛАБОРАТОРНЫЙ ПРАКТИКУМ

 

пособие

 

Редактор Е.С. Чайковская

Корректор

Компьютерная правка, оригинал-макет

 

Подписано в печать     Формат 60×84 1/16. Бумага офсетная. Гарнитура «Таймс».

Отпечатано на ризографе. Усл. печ. л.     Уч.-изд. л. 4,0. Тираж 70 экз.   Заказ 462.

 

Издатель и полиграфическое исполнение: учреждение образования

«Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники».

Свидетельство о государственной регистрации издателя, изготовителя, распространителя печатных изданий №1/238 от 24.03. 2014, №2/113 от 07.04.2014, №3/615 от 07.04.2014, ЛП №02330/264 от 14.04.2014.

220013, Минск, П. Бровки, 6