Найти значения сопротивления Rн и ёмкости Сн в цепи нагрузки коллекторного детектора, при которых коэффициент детектирования равен единице, если крутизна транзистора S=10 mA/В, частоты несущего и модулирующего колебаний равны w0=106 рад/сек, W=104 рад/сек соответственно.
На рис.3 приведена схема коллекторного детектора амплитудно-модулированных сигналов. В данной схеме резистор Rн образует делитель напряжения Епит и задаёт постоянную составляющую напряжения базы транзистора, а разделительный конденсатор Сн имеет большую ёмкость и предназначен для разделения источника питания транзистора Епит и источника входного сигнала по постоянному току. Параллельная RC-цепь используется в качестве нагрузки, она состоит из конденсатора емкостью Сн и резистора Rн.
Входной сигнал будет иметь вид:
(1)
где Um, w0 – амплитуда и частота несущего колебания, m – глубина модуляции, W - частота модулирующего сигнала.
Коэффициент детектирования коллекторного детектора определим из выражения:
Кд=0,318*S*Rн, (2)
где S – крутизна транзистора.
Величину сопротивления в цепи определим из выражения (2):
Rн=1/(0,318*S*Кд)
Подставляя данные, получим:
Rн =1/(0,318*0,01*1)= 314 (Ом)
Сопротивление Rн и ёмкость Сн в цепи нагрузки коллекторного детектора должны удовлетворять условию:
1/w0<<Rн*Сн<<W0, (3)
где w0 – частота несущего колебания, W0 - частота модулирующего колебания.
Используя соотношение (3) выберем ёмкость Сн в цепи нагрузки:
1/1000000<<314*Сн<<1/10000,
314*Сн=0,000001,
Сн =3,18*10-9Ф= 3,18 (нФ).