Расчёт цепи нагрузки коллекторного детектора

 

Найти значения сопротивления Rн и ёмкости Сн в цепи нагрузки коллекторного детектора, при которых коэффициент детектирования равен единице, если крутизна транзистора S=10 mA/В, частоты несущего и модулирующего колебаний равны w0=106 рад/сек, W=104 рад/сек соответственно.

На рис.3 приведена схема коллекторного детектора амплитудно-модулированных сигналов. В данной схеме резистор Rн образует делитель напряжения Епит и задаёт постоянную составляющую напряжения базы транзистора, а разделительный конденсатор Сн имеет большую ёмкость и предназначен для разделения источника питания транзистора Епит и источника входного сигнала по постоянному току. Параллельная RC-цепь используется в качестве нагрузки, она состоит из конденсатора емкостью Сн и резистора Rн.

Входной сигнал будет иметь вид:

                                   (1)       

где Um, w0 – амплитуда и частота несущего колебания, m – глубина модуляции, W - частота модулирующего сигнала.

 

Коэффициент детектирования коллекторного детектора определим из выражения:

Кд=0,318*S*Rн,                                                               (2)

где S – крутизна транзистора.

Величину сопротивления в цепи определим из выражения (2):

    Rн=1/(0,318*S*Кд)

 

Подставляя данные, получим:

    Rн =1/(0,318*0,01*1)= 314 (Ом)

 

Сопротивление Rн и ёмкость Сн в цепи нагрузки коллекторного детектора должны удовлетворять условию:

    1/w0<<Rнн<<W0,                                                           (3)

где w0 – частота несущего колебания, W0 - частота модулирующего колебания.

 

Используя соотношение (3) выберем ёмкость Сн в цепи нагрузки:

    1/1000000<<314*Сн<<1/10000,

    314*Сн=0,000001,

    Сн =3,18*10-9Ф= 3,18 (нФ).


Понравилась статья? Добавь ее в закладку (CTRL+D) и не забудь поделиться с друзьями:  



double arrow
Сейчас читают про: