2020-10-10
112
У якості зразка ізоляції використаний електротехнічний картон товщиною h=5*10-4 м. Вся установка (окрім тераомметра) розташована у термостаті, розміщеному всередині лабораторного стенда.
2.2.2 Порядок виконання роботи
2.2.2.1 Ознайомитись з будовою випробувальної установки і електронного тераомметру.
2.2.2.2 Зробити налагоджування тераомметра, для чого перевірити нуль прилада і при необхідності відкорегувати за допомогою механічного коректора. Перемикач меж поставити у положення «КW-КАЛ». Увімкнути тераомметр і після 15-30-хвилинного прогріву приладу ручкою «Установка Д» встановити стрілку приладу на позначку «¥». З'єднати затискувачи «К» та «Л» накоротко і ручкою «Установка 0.1» встановити стрілку приладу на позначку «¥». Праве положення перемикача меж служить для калібровки, тобто установки «0.1» на межах Том*1 та Том*10, а ліве положення – для калібровки всіх інших меж. Після налагоджування приладу можна приступати до вимірів.
НАЛАГОДЖУВАННЯ ПРИЛАДУ ВИРОБЛЯЄТЬСЯ ЗА ВКАЗІВКОЮ ВИКЛАДАЧА.
|
|
|
2.2.2.3 Після підігріву та регулювання приладу зібрати схему для вимірювання об'ємного опору (рис. 2.1,б). Для вимірювання поверхневого опору необхідно змінити місцем затискувачі В і С.
2.2.2.4 Зробити вимірювання об'ємного та поверхневого опорів зразка при температурі довкілля. Для цього перемикач меж вимірювання послідовно встановлюють у положенні «*102 Ом», «*109 Ом» і так далі до одержання зручного відліку. Відлік показань приладу виробляється за шкалою праворуч наліво.
Величина опору, що вимірюється в Омах, дорівнює відліку за шкалою приладу, помноженому на показання перемикача меж вимірювання.
2.2.2.5 Увімкнути термостат. При досягненні температури 30°C через кожні 10°C до 60°С описаним вище методом виробляти вимірювання Rv та Rs. Результати вимірів і обчислень записати у табл. 2.1.
9
Рисунок 8.1 – Схема отримання кривих намагнічування
На первинну обмотку W1 подається напруга від мережі, величина якої регулюється ЛАТРом (або ручкою потенціометра звукового генератора "ГЗ-18"). Струм, що протікає крізь первинну обмотку, визначає величину напруженості магнітного поля в зразку Hm, А/м,
, (8.1)
де L - довжина середньої магнітної лінії в зразку, м;
I1 - діюче значення струму в первинній обмотці, А.
Падіння напруги на опорі R1, яке пропорційне струму I1, подається на пластини Х. Таким чином, горизонтальне відхилення променю буде пропорційно напруженості магнітного поля в зразку.
На пластини Y вертикального відхилення променю необхідно подати напругу, яка пропорційна індукції в зразку, тоді на екрані буде одержана петля гістерезису B = f (H), з якої можуть бути одержані магнітні характеристики зразка.
|
|
|
ЕРС, що виникає у вторинній обмотці зразка, пропорційна швидкості зміни величини магнітного потоку Ф (або індукції В) у зразку:
(8.2)
звідси слідує: для того, щоб напруга U2, пропорцiйна е2, яку прикладено до пластин вертикального відхилення осцилографа, була пропорційна індукції у зразку, необхідно проінтегрувати е2 за часом.
Для цієї мети до вторинної обмотки зразка вмикають інтегруючий контур, що складається з R2 і C. Падіння напруги на ємності C подається на пластини вертикального відхилення осцилографа.
Максимальне значення індукції в зразку визначається з рівняння:
, (8.3)
де U2 - напруга у вторинній обмотці, В;
f - частота, Гц;
Фm - максимальне значення потоку, Вб.
26
7.3.3 Зібрати схему (рис. 7.1,в). Встановити напругу Uке = 4 В та зняти значення Iб й Iк для транзисторів при температурі довкілля (термостат відімкнуто).
Результати вимірів записати до табл. 7.3.
Таблиця 7.3 - Характеристики транзисторів
| Тип транзисто-ра |
Uке,В | t0=20-25°C | tH1=40°C | tH2 =60°C | tH3=80°C | ||||
| Iб, μА | IK, mА | Iб, μА | IK, mА | Iб, μА | IK, mА | Iб, μА | IK, mА | ||
| МП-37Б | |||||||||
| КТ-203Б | |||||||||
Примітка. Після виконання п. 7.3.3 схема залишається у зібраному виді.
7.3.4 Увімкнути термостат. Не змінюючи значення Uке, для схеми (рис. 7.1,в) виконати п.7.3.3 при досягненні температури в термостаті 40, 60 і 800С. Результати вимірів записати до табл. 7.3.
7.3.5 Для температури tн=800С виконати п. 7.3.1 і 7.3.2. Результати вимірів записати, відповідно, до табл. 7.1 і 7.2 (при виконанні п.7.3.1 ключ К2 вимикати не треба).
7.4 Зміст звіту
Звіт повинен додатково містити: вольтамперні характеристики терморезистора й діодів для різних температур, а також графіки залежності Iк = f (tн) для транзисторів.
Контрольні питання
1. На які групи з хімічної природи поділяються напівпровідникові матеріали?
2. Що подають собою напівпровідники з точки зору зонної теорії?
3. Чим зумовлений струм у напівпровідниках?
4. Пояснити причину зміни струму в напівпровідникові із зміною температури.
5. Що називається власною електропровідністю напівпровідника?
6. Які напівпровідники називаються напівпровідниками n-типу та p-типу?
7. Що подає собою транзистор?
8. Що подають собою терморезистори й де вони застосовуються?
9. Чому напівпровідниковий діод у прямому напрямку пропускає електричний струм, а у зворотньому нi?
10. Які зовнішні фактори можуть призвести до виходу з ладу напівпровідникового діода?
Література: [6], с. 72 - 93; [8], с. 316 - 351
Лабораторна робота 8
Дослідження основних характеристик магнітних матеріалів
8.1Мета роботи - ознайомитись із методом вимірювання магнітних властивостей матеріалів,
придбати навички роботи з електронним осцилографом і самостійного вимірювання магнітних параметрів зразків.
8.2 Прилади і устаткування
Для одержання кривої намагнічування при змінному струмі найбільш часто використовується
індукційний метод у різних формах. Однією з таких форм є осцилографічний метод, що базується на застосуванні електронного осцилографа. Схеми ввімкнення, які застосовуються для цієї мети, різноманітні. Одна з можливих схем наведена на рис.8.1.
|
|
|
25
