Таблиця 2.1 - Характеристики зразка, що випробується, при вимірюванні електронним тераомметром

Найменування діелектрика	t, °C	Вимірюються		Обчислюються
		Rv, Ом	Rs, Ом	rv, Ом*м	gv, См/м	rs, Ом	gs, См
1. Електротехнічний картон
2.
3.

 

Питомий об'ємний опір визначається згідно з формулою:

 

                                                               ,                                                        (2.1)

 

де d_ср=(d₁+d₂)/2 - розрахунковий діаметр, м.

 

 

Питомий поверхневий опір r_s визначається за формулою:

 

                                                   ,                                                                  (2.2)

 

           де R_s – поверхневий опір зразка матеріалу, Ом;

           a – відстань між електродами, м;

           b – ширина електроду, м.

 

           У виразі (2.2) величини a і b (у випадку круглого зразка) будуть дорівнювати:

 

                                                            .                                                (2.3)

 

Питомі об'ємна та поверхнева провідності розраховуються за формулами:

 

                                                    ;                                                                 (2.4)

                                                       ,                                                                  (2.5)

 

де  - питомий об'ємний опір зразка, Ом*м;

R_v - об'ємний опір зразка, Ом;

  S – площа електроду (рис. 2.1,б), м²;

  h – товщина зразка, м.

 

 

10

2.3 Визначення опору твердих зразків ізоляції методом заряду конденсатору

 

2.3.1 Прилади і устаткування

 

Для вимірювання опорів твердої ізоляції методом заряду конденсатору використовуються такі ж електроди, що і при вимірюванні тераомметром.

Джерелом постійного струму служить випрямовувальна установка. Струм об'ємного витоку при визначенні r_v і струм поверхневого витоку при визначенні r_s вимірюються за допомогою гальванометра.

 

2.3.2 Порядок виконання роботи

 

2.3.2.1 Зібрати схему (рис. 2.2) і визначити балістичну сталу гальванометра С_Q, що характеризує його чутливість, тобто струм у Амперах, який проходить у гальванометрі і дає відхилення стрілки на одну поділку. Ключі К, К1 та К2 розімкнуто.

2.3.2.2 Після перевірки схеми замкнути ключ К.

2.3.2.3 За допомогою движку змінного опору R встановити напругу 10 В, що вимірюється вольтметром.

2.3.2.4 Замкнути ключ К1 і після витримки 20-30 с - розімкнути.

2.3.2.5 Замкнути ключ К2 і зафіксувати максимальне відхилення стрілки гальванометра a.

2.3.2.6 Визначити балістичну сталу

 

                                                                 ,                                                                 (2.6)

 

де U - напруга, прикладена до конденсатора під час його заряду, В;

С - ємність конденсатора, Ф;

a - число позначок найбільшого відкиду покажчика гальванометра.

 

2.3.2.7 Повторити вимірювання С_Q згідно з пп. 2.3.2.3-2.3.2.6 для напруг 15 та 20 В і визначити середнє її значення.

2.3.2.8 Для вимірювання величини об'ємного опору R_v зібрати схему (рис. 2.3).

2.3.2.9 У стані схеми без живлення ключі К, К1, К2 та К3 повинні бути відімкнуті.

2.3.2.10 Після перевірки зібраної схеми вімкнути автомат А і встановити на випрямовувальному приладі напругу 200 В.

2.3.2.11 Замкнути ключі К, К1 та К2. Через 60 с, тобто після проходження струмів абсорбції, відімкнути ключ К1.

2.3.2.12 Через 300 с, тобто після повного заряду конденсатору, відімкнути схему від мережі, ввімкнувши автомат А, після чого ввімкнути ключ К3 і зафіксувати показання максимального відхилення стрілки гальванометра.

Опір зразка визначається за рівнянням, Ом*м

 

                                                                     ,                                                            (2.7)

 

           де U – напруга, що подається на схему, В;

           t – час заряду конденсатору (300 с).

 

2.3.2.13 Виконати пп. 2.3.2.9-2.3.2.12, встановлюючи напругу 400, 600, 800 В.

2.3.2.14 Результати вимірів і обчислень записати у табл. 2.2.

 

 

 

11

 

 

а) для зняття вольтамперної характеристики терморезистору;

б) для зняття вольтамперної характеристики діодів;