Одновременное наличие в полупроводнике доноров и акцепторов приводит к эффекту компенсации, т.е. к взаимной ионизации примесных уровней (рис. 8.5).
I. При Nd = Na полупроводник полностью компенсирован, ведет себя как собственный: концентрация свободных носителей очень мала, однако подвижность намного меньше, чем в собственном, а не компенсированном полупроводнике (из-за больших нарушений периодического потенциала решетки и рассеяния носителей заряда).
Степень компенсации определяется отношением . При – полная компенсация.
При – частичная компенсация.
II. Пусть компенсация частичная, Nd > Na.
(8.52)
– играет роль примеси одного вида. Однако, уровень Ферми ведет себя иначе, чем в полупроводнике с одной примесью.
При низких Т: n o = p o =0; так как при компенсации все акцепторы заняты и EF > Ea, то pa = 0. Тогда
(8.53)
(8.54)
(8.55)
При Т = 0, EF = Ed, т.е. уровень Ферми совпадает с уровнем донора (рис. 8.10 (1)).
Концентрация электронов при низких Т:
(8.56)
т.е. в компенсированном полупроводнике угол наклона определяется энергией ионизации донорной примеси (а не половинным значением, как в случае некомпенсированного полупроводника) (рис. 8.10).
Рис. 8.10. Температурная зависимость положения уровня Ферми в компенсированном полупроводнике:
1) 2) 3)
Характер смещения уровня Ферми от Ed вблизи Т = 0 зависит от соотношения Nd и 3 Na.
При начале собственной проводимости (Т >> 0) ход уровня Ферми такой же, как и в собственном полупроводнике.
Выводы
1. Уравнение электронейтральности отражает закон сохранения заряда в веществе. Из решения этого уравнения можно определить положение уровня Ферми.
2. Из температурной зависимости логарифма концентрации от обратной температуры можно определить энергию активации примесного уровня, ширину запрещенной зоны и концентрацию примесных атомов (из условия истощения примеси).
3. При наличии в полупроводнике доноров и акцепторов может наступить частичная или полная компенсация примесей. В компенсированном полупроводнике уровень Ферми при 0 К совпадает с положением уровня преобладающей примеси.