P-n-p тип)

Эффект Эрли).

Явление вторичного пробоя и модуляция толщины базы

При увеличении напряжения (обратного) на коллекторном переходе транзистора, за счёт ударной ионизации, может наступить явление лавинного размножения носителей заряда, что приведет (как и в одиночном p-n переходе) к электрическому пробою. Если не принять мер к ограничению мощности электрического пробоя, он может перерасти в тепловой пробой с последующим разрушением коллекторного перехода.

Однако при значительных токах коллектора в транзисторе может наступить тепловой пробой коллекторного перехода без предварительного электрического пробоя (даже при небольших напряжениях на коллекторе). Такой пробой вызывается перегревом коллекторного перехода и получил название вторичного пробоя.

Для обеспечения усилительных свойств в транзисторе принципиально необходима существенная разница концентраций основных носителей заряда в базовой и коллекторной областях. Поэтому коллекторный переход является сильно несимметричным: слой, обеднённый носителями заряда, простирается более глубоко в базовую область. Всвязи с этим, изменение обратного напряжения на коллекторном переходе будет изменять толщину обеднённого слоя в базе, а значит изменять эффективную толщину базы. Такое явление называется модуляцией толщины базы или эффектом Эрли. Если при этом и на эмиттерном переходе будет действовать обратное напряжение, а базовая область будет выполнена достаточно тонкой (что также необходимо для улучшения усилительных свойств транзистора), может наступить эффект смыкания (соединения) коллекторного и эмиттерного переходов. Такое явление носит название «прокола» базы, что приводит к необратимым явлениям и выходу транзистора из строя.