Локальное легирование

Окисление пластин кремния

получение пленки двуокиси кремния, маскирующей поверхность кристалла

при его локальном легировании

- эпитаксиальное наращивание кремния на кремниевые и инородные подложки

- осаждение из газовой фазы

- осаждение из паровой фазы

- осаждение из растворов

получение слоев, легированными примесями

- методом диффузии

донорных и акцепторных примесей в потоке газа-носителя

(способ открытой трубы)

в кварцевую трубу направляются три потока газа:

- основной поток азота (аргона)

- слабый поток азота (аргона), прошедший через жидкий источник

- слабый поток кислорода

кислород взаимодействует с

бромистым бором с образованием окисла бора и выделением брома

кремнием с образованием окисла кремния

окисел кремния с окислом бора образует боросиликатное стекло

кремний взаимодействует с окислом бора и образует окисел

кремния и элементарный бор

(аналогично происходит с фосфором)

- методом ионного внедрения

на поверхность подложки определенной ориентации подается

пучок ускоренных ионов примеси

с энергией, достаточной для проникновения в полупроводник

- комбинированным методом

- нанесение тонких металлических пленок на пластину

получение омических контактов к слоям структуры микросхемы и

электрической разводки