Литография. - образование рисунка в маскирующих пленках для локального легирования

- образование рисунка в маскирующих пленках для локального легирования

- образование контактных окон

- формирование рисунка электрической разводки

- фотолитография

- фоторезист позитивный - пленка (после облучения) растворяется при проявлении

- фоторезист негативный - пленка (после облучения) нерастворима при проявлении

Последовательность операций:

- очистка поверхности пластин

- нанесение фоторезиста центрифугированием

- сушка слоя фоторезиста

- совмещение фотошаблона с пластиной

- экспонирование рисунка фотошаблона в слое фоторезиста

- проявление рисунка в слое фоторезиста

- задубливание фоторезиста

- травление окисла или металлизация не защищенных поверхностей

- удаление фоторезиста

- рентгенолитография

поток рентгеновских лучей направляется на шаблон, под которым

находится подложка, покрытая резистом, чувствительным к излучению

- электронолитография

- сканирующая электронная пушка с системой фокусирования формируют

остросфокусированный поток электронов с управлением от ЭВМ

- проекционная

фотокатод (источник электронов и шаблон рисунка конфигурации) освещается

ультрафиолетом участки, не защищенные пленкой, под действием

ультрафиолета испускают электроны

- ионная литография.

(комплекс операций: химическая обработка - термообработка - фотолитография):

изготовление интегральной микросхемы малой степени интеграции

на основе биполярных транзисторов с изоляцией элементов p-n переходом

изготовление изопланарной биполярной микросхемы

изготовление МОП-транзистора

- заключительные операции