Омические контакты
P-i и n-i переходы
Такие переходы образуются между двумя пластинами, одна из которых имеет электронную или дырочную электропроводность, а другая - собственную.
Омическими называют контакты, сопротивление которых не зависит от величины и направления тока
При контакте металла с электронным полупроводником при выполнении условия
АВых n < AВых Ме
электроны переходят из полупроводника в металл. Если осуществлен контакт металла с дырочным полупроводником и выполняется условие
AВых Ме < АВых p,
будет происходить переход электронов в полупроводник.
В обоих случаях произойдет обеднение свободными носителями заряда приконтактной области полупроводника.
Отличительной особенностью контактов металл-полупроводник является то, что перенос зарядов в этих контактах осуществляется основными носителями, и в них отсутствуют явления инжекции, накопления и рассасывания зарядов.
Если при контакте металла с полупроводником выполняется условие
AВых Ме < АВых n или AВых Ме > АВых p,
то приконтактный слой полупроводника обогащается основными носителями заряда и его сопротивление становится низким при любой полярности внешнего напряжения.