Применение МДП-транзисторов

Выходные характеристики

Передаточные характеристики

по форме такие же, как и у транзистора с индуцированным каналом.

Эквивалентная схема МДП-транзистора такая же, как и транзистора с p-n-переходом. Но параметры значительно отличаются. Малы междуэлектродные емкости: С_ЗИ, С_ЗС - единицы пф, С_СИ -доли пф. Очень велико входное сопротивление напряжения по постоянному току - 10¹²...10¹⁵ Ом и не зависит от полярности напряжения на затворе, в отличие от p-n-перехода.

У МДП-транзистора сток и исток взаимозаменяемы.

+Uп Rc R1 C2 VT1 Rн Uвх C1 R2

Усилитель напряжения на транзисторе с индуцированным каналом.

Делитель R1,R2 задает начальное напряжение на затворе U_З.И.О., которое обеспечивает точку покоя. При наличии сопротивления в цепи стока напряжение сток-исток:

U_СИ=U_П – I_сR_с – это уравнение линии нагрузки.

Ic Ic Icm Rc||RН Rc IСО 0 UЗИ.О UЗИО UЗИ UСИО UСИ 0 UЗ.И.ПОР 0 UЗИ.m UСИ.m UП

Приращение тока I_c вызывает приращение напряжения на стоке:

DU_СИ= – DI_c(R_c||R_н)

А величина DI_c согласно уравнению четырехполюсника

DI_c=SDU_ЗИ+G_СИDU_СИ

Совместное решение дает

DU_СИ= – S(R_c||R_Н) DU_ЗИ / (1+R_CG_СИ)

Таким образом, коэффициент усиления

К_U=DU_СИ/DU_ЗИ= – S(R_C||R_Н)/(1+(R_C||R_Н)G_СИ)

Если G_СИ мала, K_u» – S(R_C||R_Н)