Выходные характеристики

Передаточные характеристики

I_c=f(U_ЗИ) при U_СИ=const имеют вид параболы.

I_c=j(U_СИ) при U_ЗИ=const имеют крутые участки при U_СИ<U_СИ.НАС и пологие участки в режиме насыщения. Напряжение насыщения соответствует нулевой толщине канала возле стока, т.е. U_ЗИ – U_СИ.НАС = U_ЗИ.ПОР, откуда U_СИ.НАС = U_ЗИ – U_ЗИ.ПОР.

В МДП-транзисторах со встроенным каналом слой полупроводника между истоком и стоком создается при изготовлении транзистора, т.е. при U_ЗИ=0 канал существует. Его толщина изменяется при изменении напряжения затвор-исток: при одной полярности увеличивается (режим обогащения), при другой - уменьшается (режим обеднения), вплоть до исчезновения канала, т.е. отсечки. Обозначение транзисторов со встроенным каналом: