2014-02-24
544
Электронные ключи на биполярных транзисторах
ТРАНЗИСТОРНЫЕ КЛЮЧИ
В зависимости от полярности напряжений на переходах Uэб и Uкб различают четыре области:
1) Область отсечки токов
 + – – +
n+ p n
pэ nб pк
xэ 0 w xб xк
|
Оба перехода смещены в обратном направлении: Uэб < 0 и Uкб < 0. Через оба перехода происходит экстракция неосновных носителей заряда. Поэтому на границах перехода в области базы их концентрация ниже равновесной:
2) Активная область
                  – + – +
n+ p n
     pэ nб pк
xэ 0 w xб xк |
Эмиттерный переход смещен в прямом (Uэб > 0), а коллекторный переход – в обратном направлении (Uкб < 0). Эмиттерный переход работает в режиме инжекции электронов из эмиттера в базу, а коллекторный – в режиме экстракции электронов из базы в коллектор. Концентрация неосновных носителей на границах эмиттерного перехода выше равновесной, а на границах коллекторного перехода ниже равновесной:
По базе концентрация электронов убывает приблизительно по линейному закону:
.
3) Область насыщения
Оба перехода транзистора смещены прямо: Uэб > 0 и Uкб > 0. Через оба перехода происходит инжекция неосновных носителей в базу. По всей толщине базы их концентрация выше равновесной:
– + + –
n+ p n
pэ nб pк
xэ 0 w xб xк |
4) Инверсная активная область
Эмиттерный переход смещен в обратном направлении (Uэб < 0), а коллекторный – в прямом (Uкб > 0). Происходит инжекция электронов из коллектора в базу и экстракция их из базы в эмиттер. Это состояние в некоторых схемах соответствует переходному режиму транзистора.
